[发明专利]OLED封装结构及其制造方法、发光器件

权利要求书

1.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述OLED形成于所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。

2.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。

3.根据权利要求2所述的OLED封装结构，其特征在于，所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。

4.根据权利要求1至3任一所述的OLED封装结构，其特征在于，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层。

5.根据权利要求4所述的OLED封装结构，其特征在于，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述金属包括：银、铝或者银铝混合物，所述介质包括：二氧化硅或者氟化镁。

6.根据权利要求4所述的OLED封装结构，其特征在于，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述填充层的材料包括：二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。

7.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED包括：顶发射OLED或者双面发射OLED。

8.一种OLED封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成OLED；

在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层。

9.根据权利要求8所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层包括：

在所述OLED上按照交替周期数交替形成所述阻隔层和所述光学调制层，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。

10.根据权利要求9所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层包括：

形成所述阻隔层；

在所述阻隔层上形成所述光学调制层；

重复执行n-1次所述形成所述阻隔层的步骤和所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层的步骤，其中，n为所述交替周期数，n为大于1的正整数。

11.根据权利要求10所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层；所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层包括：

在所述阻隔层上形成网格层；

在所述网格层上形成所述填充层。

12.根据权利要求11所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述在所述阻隔层上形成网格层包括：

以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述隔离层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜。

13.根据权利要求12所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述设定入射角度大于85°且小于90°。

14.根据权利要求11所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述在所述网格层上形成所述填充层包括：以在设定角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜。

15.根据权利要求14所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述设定角度范围为位于30°至90°之间的角度范围。

16.一种发光器件，其特征在于，包括权利要求1至7任一所述的OLED封装结构。