[发明专利]固体拍摄元件无效
| 申请号: | 201210313269.6 | 申请日: | 2012-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN102983142A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 今野有作;冈田直忠;国分弘一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 拍摄 元件 | ||
1.固体拍摄元件,具有:
基板,设置有多个光电转换部;以及
多个滤色器,分别设置于所述多个光电转换部,使特定的波长频带的光选择性地透过,
多个所述滤色器分别具有:层叠构造部,层叠有折射率不同的多个层;以及周期构造部,根据所述特定的波长频带及光的入射角度,以不同的周期,设置有多个要素。
2.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
所述周期构造部具有基底层以及多个所述要素,
所述基底层的折射率比多个所述要素的折射率低。
3.根据权利要求2所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述要素设置于所述基底层中。
4.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
在所述基板的第二区域的上方设置的多个所述要素的周期比在所述基板的第一区域的上方设置的多个所述要素的周期短,其中,所述基板的第二区域是指,与所述基板的第一区域相比,光的入射角度变大的区域。
5.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
在所述基板周缘侧的上方设置的多个所述要素的周期比在所述基板中心侧的上方设置的多个所述要素的周期短。
6.根据权利要求4所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述要素以满足以下算式的方式设置:
P1=P·cosθ,
这里,P是所述基板的第一区域上方的多个所述要素的配设间距尺寸,P1是所述基板的第二区域上方的多个所述要素的配设间距尺寸,θ是光的入射角度。
7.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
在所述基板的第二区域的上方设置的多个所述要素的大小比在所述基板的第一区域的上方设置的多个所述要素的大小要小,其中,所述基板的第二区域是指,与所述基板的第一区域相比,光的入射角度变大的区域。
8.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述要素的形态是点状、条纹状及孔状中的任一种。
9.根据权利要求8所述的固体拍摄元件,其中,
在俯视时,多个所述条纹状的要素从所述基板的中心侧向所述基板的周缘侧延伸。
10.根据权利要求8所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述点状的要素设置于所述基板的中心侧区域的上方。
11.根据权利要求8所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述条纹状的要素设置于所述基板的周缘侧区域的上方。
12.根据权利要求8所述的固体拍摄元件,其中,
在俯视时,多个所述条纹状的要素与所述基板的对角线平行地延伸。
13.根据权利要求8所述的固体拍摄元件,其中,
在俯视时,多个所述条纹状的要素从所述基板的中心放射状地延伸。
14.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
多个所述要素包括从具有硅、多晶硅、氧化硅的群中选择出的至少一种。
15.根据权利要求2所述的固体拍摄元件,其中,
所述基底层包括从具有硅、多晶硅、氧化硅的群中选择出的至少一种。
16.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其中,
所述层叠构造部具有下部反射镜层和在所述下部反射镜层的上方设置的上部反射镜层,
所述上部反射镜层和所述下部反射镜层具有在层叠方向上对称的构造。
17.根据权利要求16所述的固体拍摄元件,其中,
所述上部反射镜层具有第一层和第二层这种层叠构造,
所述第一层的折射率比所述第二层的折射率高。
18.根据权利要求16所述的固体拍摄元件,其中,
所述下部反射镜层具有所述第一层和所述第二层这种层叠构造,
所述第一层的折射率比所述第二层的折射率高。
19.根据权利要求16所述的固体拍摄元件,还具有,
控制层,设置于所述下部反射镜层与所述上部反射镜层之间。
20.根据权利要求16所述的固体拍摄元件,其中,
所述第一层的膜厚及所述第二层的膜厚满足以下的算式:
D=λ/(4×n),
这里,D是所述第一层或所述第二层的膜厚,λ是可视区域中的中心波长,n是所述第一层或所述第二层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





