[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201210306872.1 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103633031A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋汝平;谢荣源;黄智超 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的形成方法包括：
提供一基板，在所述的基板上依序形成一栅极介电层、一栅极材料层、一阻障氧化层、以及一硬罩幕层；
依序刻蚀所述的硬罩幕层、所述的阻障氧化层、所述的栅极材料层、所述的栅极介电层及所述的基板，以在所述的基板中形成一沟槽；
在所述的沟槽中填入一氧化物层；
凹蚀所述的沟槽中的所述的氧化物层，以降低所述的氧化物层的高度；
移除所述的硬罩幕层，且在所述的移除步骤中以所述的阻障氧化层保护其下之所述的栅极材料层；以及
移除所述的阻障氧化层，而暴露出所述的栅极材料层。
2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，在移除所述的阻障氧化层后暴露出的所述的栅极材料层具有圆弧形的边角。
3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的氧化物层系以热氧化法形成，且所述的栅极材料层于所述的热氧化步骤中形成圆弧形的边角。
4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的栅极介电层包括通道氧化物层。
5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的硬罩幕层的移除系利用湿刻蚀制造工艺，且所述的阻障氧化层的移除系利用干刻蚀制造工艺。
6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的硬罩幕层的移除系利用热磷酸刻蚀，且所述的阻障氧化层的移除系利用缓冲氧化物刻蚀。
7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，在凹蚀所述的沟槽中的所述的氧化物层后，所述的氧化物层的一部分仍残留在所述的沟槽的侧壁上，且在移除所述的阻障氧化层时一并移除残留的部分。
8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的氧化物层残留在侧壁的所述的部分的厚度大抵等于所述的阻障氧化层的厚度。
9.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，在移除所述的阻障氧化层后，更包括在所述的栅极材料层上形成一氧-氮-氧层。
10.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的方法更包括在所述的氧-氮-氧层上形成一控制栅极。
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