[发明专利]化合物磷钼酸铯和磷钼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201210302069.0 申请日: 2012-08-23
公开(公告)号: CN103628139A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 潘世烈;王颖 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;G02F1/355;C01B25/00
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 化合物 钼酸 非线性 光学 晶体 制备 方法 用途
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种化合物磷钼酸铯化学式为Cs4Mo5P2O22和磷钼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途。

背景技术

激光作为一种高强度、方向性好的相干单色光源广泛的应用于科研、工业、交通、国防和医疗卫生等相关领域。然而目前的各种激光器直接输出的激光波段有限,从紫外波段到红外波段尚存有激光空白波段。由于激光发生机理的特殊性,不可能为每一个波长都寻找到一种实用的激光介质。所以利用非线性光学晶体进行变频以获得宽调谐的各种激光光源已成为激光技术发展的前沿课题。

非线性光学效应起源于激光与介质的相互作用。当激光在具有非零二阶极化率的介质中传播时,会产生倍频、和频、差频、光参量放大等非线性光学效应。非线性光学晶体材料已深入到激光技术的各个领域,现已成为激光变频、电光调制和光折变晶体记忆和存储等技术必不可少的晶体材料。目前主要的非线性光学材料有:KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)等,但由于各种原因,尚未得到各波段均适用的各种非线性光学晶体。

根据当前无机非线性光学晶体材料发展情况,对新型无机非线性光学晶体不仅要求具有大的倍频系数,而且还要求它的综合性能参数好,同时易于生成优质大尺寸体块晶体,这就需要进行大量系统而深入的研究工作。探索高性能的新型非线性光学晶体材料是光电功能材料领域的重要课题,人们仍在不断探索以求发现性能更好的非线性光学晶体。

发明内容

本发明目的在于为解决应用于全固态激光系统的非线性光学材料的需要,提供一种化合物磷钼酸铯和磷钼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Cs4Mo5P2O22,分子量为1425.28,采用固相反应法制备;磷钼酸铯非线性光学晶体化学式为Cs4Mo5P2O22,分子量为1425.28,属正交晶系,空间群为C2221,晶胞参数为Z=4,其粉末倍频效应为2倍KDP(KH2PO4),紫外透光波段截止边为300nm,适合于制作非线性光学器件。

本发明所述一种化合物磷钼酸铯,该化合物的化学式为Cs4Mo5P2O2,分子量为1425.28,采用固相反应法制备。

一种磷钼酸铯非线性光学晶体,该晶体的化学式为Cs4Mo5P2O22,分子量为1425.28,属于正交晶系,空间群为C2221,晶胞参数为Z=4,

所述的磷钼酸铯非线性光学晶体的制备方法,采用固相反应法及化合物熔体法生长晶体,具体操作按下列步骤进行:

a、将含铯、含钼和含磷化合物按摩尔比4∶5∶2称取放入研钵中,混合并仔细研磨,装入刚玉坩埚,放入马弗炉中,缓慢升温至400℃,恒温12小时,尽量将气体排干净,待冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至480℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中捣碎研磨即得磷钼酸铯化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与成品Cs4Mo5P2O22单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;

b、将化合物磷钼酸铯在坩埚中加热到熔化,在温度600-650℃恒温4-15h,再降温至520℃-530℃,得到磷钼酸铯熔体;

c、以温度0.5-10℃/h的速率缓慢降温至室温,结晶获得籽晶或在降温中使用铂丝悬挂法获得小晶体作为籽晶;

d、在化合物熔体表面或熔体中生长晶体:将步骤c得到的籽晶固定在籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,使籽晶与磷钼酸铯熔体表面接触或伸入至磷钼酸铯熔体中,降温至500-510℃,恒温或以温度0.1-10℃/天的速率降温,以0-100rpm的转速旋转籽晶杆,以0-15mm/h的速度向上提拉生长晶体;

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