[发明专利]一种基于氧化硅衬底的V型槽结构的制作方法

权利要求书

1.一种基于氧化硅衬底的V型槽结构的制作方法，其特征在于，主要包含步骤如下：

步骤1，在硅衬底上生长一层氧化膜；

步骤2，在氧化膜上生长介质掩膜层；

步骤3，在介质掩膜层上涂光刻胶，光刻，显影，然后干法刻蚀定义出介质掩膜层的图形；

步骤4，去除光刻胶；

步骤5，用步骤3定义出图形的介质掩膜层对下面的氧化膜刻蚀定义出需要的V型图形；

步骤6，去除介质掩膜层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述氧化膜的生长方法采用化学气相沉积法，所述氧化膜的厚度为1～60微米。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述氧化膜的生长采用一次性成膜，或者采用压应力和张应力的薄膜交替沉积，以解决由于膜质过厚而出现的薄膜剥落的问题。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述介质掩膜层采用氮氧化硅、或者氮化硅、或者氮氧化硅和氧化硅混合使用，或者氮化硅和氧化硅混合使用。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述介质掩膜层的生长方法采用化学气相沉积法；所述介质掩膜层的厚度为100埃～1微米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，所述干法刻蚀定义出介质掩膜层的图形，所述介质掩膜层刻蚀的开口宽度（D）为1～60微米，刻蚀深度为介质掩膜层的生长厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，所述氧化膜刻蚀的深度（B）为1～60微米，开口宽度（C）为1～60微米。

8.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤5中，所述氧化膜的刻蚀方法为湿法刻蚀，或干法刻蚀，或湿法刻蚀和干法刻蚀的混合使用。

9.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤5中，所述氧化膜刻蚀的刻蚀角度（A）为30～90度。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中，所述去除介质掩膜层的方法为湿法刻蚀，或干法刻蚀，或湿法刻蚀和干法刻蚀的混合使用。