[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

在显示技术领域，平板显示装置，如液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）和有机电致发光显示器（Organic Light Emitting Display），因其轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。

首先，开口率是决定平板显示装置高亮度的重要指标，开口率越高，光线通过的效率越高。现有提高像素开口率的方法包括：采用更加先进的细微加工技术，减小每一个像素的配线部和TFT所占面积，增加像素的透光率。

由于现有细微加工技术的制约，如曝光精度的制约，限制TFT的进一步减小。如图1所示，为现有技术典型的底栅型薄膜晶体管，栅极101位于玻璃基板100上，半导体层102位于栅极101和源漏极（源极103和漏极104）之间，源极103和漏极104位于同一层且欧姆接触层105隔开，栅极101和半导体层102之间还设置有栅极绝缘层106。如图2所示，TFT由源极103、漏极104以及源极和漏极之间的半导体层102所占面积组成。采用上述结构的TFT较大，相应的平板显示装置的开口率较低。在源极和漏极的尺寸一定的情况下，只能减小源极和漏极之间的沟道的距离，但是目前的曝光机的曝光精度已经无法制作出更窄的沟道。

另外，TFT中栅极与源极和漏极的对准程度，决定图像画质的均匀程度。画质不均主要因栅极与源极之间的电容C₁，和栅极与漏极之间的电容C₂不相等导致。通过将栅极设置在与源极和漏极位于不同层，且位于源极和漏极正中间的位置，可以使得栅极与源极之间的电容C₁，和栅极与漏极之间的电容C₂接近或相等。但是，在现有的TFT制作工艺条件下，源极103和漏极104在同一层制作，导致每个TFT的栅极101很难和源极103、漏极104对准（所谓对准即：源极和漏极相对于栅极在水平方向对称）。这就造成了栅极101和源漏极之间的对准存在一定的误差，该误差存在于每个TFT结构中。如图2所示的阵列基板结构俯视图，栅极101与源103和漏极104没有对准。如果一个显示面板需要经过多次曝光等过程才能形成所有TFT，不同曝光过程形成的TFT，栅极11与源极和漏极之间的对准误差不同，使得整个阵列基板上的TFT对应的图像色度不均匀，形成的图像画质较差。

并且，现有TFT设计方式，由于栅极具有一定厚度，栅极和玻璃基板之间形成一定的台阶（台阶的高度为栅极的厚度），导致栅极绝缘层的厚度不能太薄，如果太薄会导致栅极绝缘层断裂的现象，栅极绝缘层较厚，要求TFT的开关电流较大，不利于提高TFT的电学特性。

现有的TFT结构，源极和漏极设计在同一平面上，在垂直方向上没有重叠区域，导致TFT面积较大，像素的开口率较低，并且现有TFT的设计方式，栅极和源漏极之间的对准误差较大，会导致显示装置的图像色度不均匀，图像画质较差的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法，用以提高平板显示装置像素的开口率。

为实现上述目的，本发明实施例提供的阵列基板，包括：

基板、栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极位于基板上不同区域，源极和漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；

半导体层，所述半导体层形成在所述源极和漏极之间，半导体层在基板上的投影和源极与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；

第一绝缘层，所述第一绝缘层，形成在所述基板之上栅极之下，且覆盖所述源极或漏极；

还包括，像素电极，所述像素电极与所述漏极相连；

栅极线，所述栅极线与所述栅极相连；

数据线，所述数据线与所述源极相连。

本发明实施例提供的显示装置，包括所述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，包括：

采用构图工艺在基板上形成源极和数据线；

采用构图工艺在所述源极上形成与源极在基板上的垂直投影具有重叠区域的半导体层；

采用构图工艺在所述半导体层上形成与源极和半导体层在基板上的垂直投影具有重叠区域的漏极；

采用构图工艺在基板上形成覆盖整个基板的第一绝缘层；

采用构图工艺在所述第一绝缘层上与所述源极、半导体层，和漏极位于基板的不同区域的栅极和栅极线；

采用构图工艺在覆盖漏极的第一绝缘层上形成一个露出漏极的过孔；