[发明专利]一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括由栅线、数据线、薄膜场效应晶体管、像素电极和公共电极构成的有效像素区域；

其特征在于，还包括：

在所述有效像素区域边缘的栅线的外侧，还设置有与所述栅线同层的测试栅线，所述测试栅线与所述有效像素区域内的各条数据线交叉形成多个测试区域；

在每个所述测试区域中，形成有与所述测试栅线电连接的测试栅极、测试半导体有源层、与所述有效像素区域内的数据线电连接的测试源极，以及测试漏极；

在每个所述测试区域中，还形成有与所述测试漏极电连接的测试接触区。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，在所述有效像素区域中，所述像素电极与所述薄膜场效应晶体管的漏极电极连；在所述像素电极上覆盖有第一保护层；所述公共电极形成在所述第一保护层上。

3.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述测试区域内的所述测试接触区形成在所述第一保护层上，与所述公共电极同层。

4.根据权利要求3所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述测试区域的结构包括：

基板；

形成在所述基板上的测试栅线、测试栅极；

形成在所述测试栅线、测试栅极上的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上的测试半导体有源层；

形成在所述基板上的数据线、测试源极、测试漏极；

形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内像素电极的第一保护层；所述第一保护层上含有露出所述测试漏极的第一过孔；

形成在所述第一保护层上的通过所述第一过孔与所述测试漏极电连接的测试接触区。

5.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，

在所述公共电极上还覆盖有第二保护层；

所述测试区域内的所述测试接触区形成在所述第二保护层上。

6.根据权利要求5所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述测试区域的结构包括：

基板；

形成在所述基板上的测试栅线、测试栅极；

形成在所述测试栅线、测试栅极上的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上的测试半导体有源层；

形成在所述基板上的数据线、测试源极、测试漏极；

形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内像素电极的第一保护层；

形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内公共电极的第二保护层；所述第二保护层上含有穿透所述第一保护层露出所述测试漏极的第二过孔；

形成在所述第二保护层上的通过所述第二过孔与所述测试漏极电连接的测试接触区。

7.根据权利要求1至6任一所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述测试栅线为一条，设置在所述有效像素区域一侧边缘的栅线的外侧。

8.根据权利要求1至6任一所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述测试栅线为两条，分别设置在所述有效像素区域两侧边缘的栅线的外侧。

9.一种薄膜场效应晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺处理在基板上形成栅线、栅极；

在所述栅线、所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上通过构图工艺处理形成半导体有源层；

在所述基板上通过构图工艺形成数据线、源极和漏极；所述数据线与所述栅线交叉构成像素区域，并在除最外侧的栅线构成的像素区域中，通过构图工艺形成与所述漏极电连接的像素电极；

在所述基板上形成保护层；

在所述保护层上，在除所述最外侧的栅线构成的像素区域中，通过构图工艺形成公共电极；

在所述最外侧的栅线构成的像素区域中通过构图工艺处理形成与所述漏极电连接的测试接触区。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述保护层上，在除所述最外侧的栅线构成的像素区域中，通过构图工艺形成公共电极；在所述最外侧的栅线构成的像素区域中通过构图工艺处理形成与所述漏极电连接的测试接触区包括：

在所述保护层上，形成导电薄膜层；

通过构图工艺处理，在除所述最外侧的栅线构成的像素区域中，形成公共电极；在所述最外侧的栅线构成的像素区域中形成与所述漏极电连接的测试接触区。