[发明专利]具有防转移功能高频易碎RFID电子标签及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210278303.0 申请日: 2012-08-07
公开(公告)号: CN102915461A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 李文忠 申请(专利权)人: 厦门英诺尔电子科技股份有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 朱凌
地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 具有 转移 功能 高频 易碎 rfid 电子标签 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及物联网RFID领域,更具体的说涉及一种具有防转移功能高频易碎RFID电子标签及其制备方法,其适用于各种需要防伪、防拆的RFID应用场合,尤其成为车辆管理、酒类、药品、化妆品等高档产品溯源及防伪的理想选择。

背景技术

普通高频易碎标签是以易碎印刷材料或PET为面料,背面丝印或凹印导电银浆或导电油墨的方式,实现当易碎标签被贴上基材后再揭起时,材料无规则断裂。但因为高频天线图案基本上是以线圈为主,此类制备方法,线距线宽基本都到0.25mm以上,标签的直径基本都在25mm以上,芯片位的PIN中间距也大于0.18mm,即芯片制成的良率低、全部银浆线路,阻抗值变化大,标签性能的一致性差,且通常加热加温后仍可实现完整揭开,达不到易碎的功能。

随着国家对财产安全、食品安全、药品安全等越来越重视,基于13.56MH的高频易碎RFID电子标签在溯源与防伪上面越来越重要,将在越来越多的领域取代普通易碎标签。高频易碎防伪RFID电子标签通常采用的技术方案,是将导电油墨或金属颗粒通过丝网印刷在易碎纸质材料及PET基材上面,而形成印刷RFID天线,但由于印刷天线精度低、导电物质电阻阻抗不一致等原因,将无法制成高质量的RFID电子标签,并且制成的RFID电子标签还具有适用范围窄的缺陷。

有鉴于此,本发明人针对现有易碎防伪RFID电子标签的上述缺陷深入研究,遂有本案产生。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种具有防转移功能高频易碎RFID电子标签,以解决现有技术中存在加热加温后仍可实现完整揭开,即防伪性差的问题。

为了达成上述目的,本发明的解决方案是:

一种具有防转移功能高频易碎RFID电子标签,其中,包括承载基材、第一胶层、树脂膜、蚀刻天线层、第一绝缘层、导电线路层、芯片、第二胶层以及图案承载层,该树脂膜位于承载基材与蚀刻天线层之间,该第一胶层位于树脂膜与承载基材之间,该蚀刻天线层为铜箔或铝箔经蚀刻工艺而成型;该导电线路层与该蚀刻天线层一起构成易碎RFID电子标签的复合高频天线,该导电线路层实现蚀刻天线层上的跳线导通,该第一绝缘层设置该导电线路层与蚀刻天线层之间;该芯片与蚀刻天线层相连,该蚀刻天线层、导电线路层、第一绝缘层以及芯片构成芯料组件,该图案承载层通过第二胶层而粘结在整个芯料组件的另一侧。

进一步,该易碎RFID电子标签还包括第二绝缘层,该第二绝缘层设置在导电线路层与第二胶层之间。

进一步,该易碎RFID电子标签还包括导电胶层,该导电胶层设置在芯片与第二胶层之间。

进一步,该图案承载层的材料为易碎纸、铜版纸或PET膜,该图案承载层的外表面还丝印有起标示防伪作用的油墨层。

进一步,该蚀刻天线层上线路的蚀刻精度公差在±0.02mm,最小线距线宽为0.1-0.25mm。

本发明的第二目的在于提供一种具有防转移功能高频易碎RFID电子标签的制备方法,其中,包括如下步骤:

①、选择铝箔或铜箔,并利用树脂膜而与承载基材进行复合,而形成复合基材;

②、在复合基材的铝箔或铜箔上面形成感光型复合材料或丝印抗蚀刻湿膜油墨;

③、将需要蚀刻的天线图形制成菲林底片,采用曝光方法,将导线的线路图形转移至感光型复合材料或抗蚀刻湿膜油墨上面;

④、将曝光好并贴有感光型复合材料或抗蚀刻湿膜油墨的复合基材进行显影、蚀刻和剥膜,如此形成蚀刻精度公差在±0.02mm,最小线距线宽为0.1-0.25mm的蚀刻天线层;

⑤、在上述蚀刻好的蚀刻天线层上,丝印第一绝缘层,接着在第一绝缘层的位置上丝印导电线路层,再在导线线路层上丝印第二绝缘层;

⑥、将上述蚀刻天线层与芯片组装在一起而制成芯料组件;

⑦、取图案承载层,并在其一面上形成起防伪作用的标示层,再在其另一面涂布第二胶层而与芯料组件组成易碎防伪RFID电子标签。

进一步,该第一绝缘层为厚度为8-30um的绝缘油墨,该导线线路层为厚度为5-50um的导电银浆或导电油墨,第二绝缘层为厚度为5-30um的绝缘油墨。

进一步,该步骤②中感光型复合材料与铝箔或铜箔之间的成型采用卷对卷贴合,该步骤③中曝光则是采用卷对卷曝光机进行曝光。

进一步,该树脂膜为可以防止二次加热加温30-200℃软化的胶膜,以防止被完整揭起。

进一步,在步骤⑥与步骤⑦之间,还包括在芯片上设置导电胶层的步骤。

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