[发明专利]一种纳米柱/针森林结构的加工方法

权利要求书

1.一种纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：

（a）、准备并清洗所选用的衬底；

（b）、在所述衬底上生长一层多晶硅；

（c）、在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；

（d）、对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；

（e）、调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。

2.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述衬底包括单晶硅衬底、多晶硅衬底、玻璃衬底、铝衬底或铜衬底。

3.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述步骤（b）中，在所述衬底上生长刻蚀隔离层，所述多晶硅层覆盖于刻蚀隔离层上。

4.根据权利要求3所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述刻蚀隔离层采用热氧化、低压化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积方法生长于衬底上。

5.根据权利要求4所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述刻蚀隔离层采用热氧化或低压化学气相沉积方法生长时，则步骤（c）中，多晶硅层采用LPCVD或PECVD方法生长得到；所述刻蚀隔离层采用PECVD方法生长得到时，则步骤（c）中，多晶硅层采用PECVD方法生长得到。

6.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述多晶硅层采用LPCVD方法生长得到时，则侧墙材料层采用LPCVD或PECVD方法生长得到；所述多晶硅层采用PECVD方法生长得到时，则侧墙材料层采用PECVD方法生长得到。

7.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述步骤（d）中，各向异性刻蚀的气体包括Cl₂气体，或Br₂气体，或CF₃Br气体，或者Cl₂、He的混合气体，或SF₆、O₂、CHF₃的混合气体，或SF₆、Cl₂的混合气体，或Cl₂、He、O₂的混合气体，或SF₆、O₂的混合气体，或SF₆、Cl₂、O₂的混合气体。

8.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述衬底上形成纳米柱/针森林结构的底部为相互独立或两两相互连接。

9.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述衬底采用与CMOS工艺兼容的衬底材料。

10.根据权利要求5所述的纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是：所述多晶硅层采用LPCVD或PECVD生长时，LPCVD或PECVD通过将硅甲烷经加热解离后，实现多晶硅层的生长淀积。