[发明专利]热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法

说明书

本公开主张于2011年7月29日申请的日本专利申请第2011－167428号的优先权，该日本申请的全部内容作为参照文献包含于本发明。

技术领域

本公开涉及对半导体晶片等基板进行热处理的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。

背景技术

作为半导体制造装置之一，存在对多个晶片一并进行加热的立式的批处理式的热处理装置。在这样的热处理装置中设置有：例如在上下方向隔开间隔保持多个晶片的晶舟；以及输送机构，该输送机构在收纳有多个晶片的例如FOUP（Front-Opening Unified Pod，前端开口片盒）等载体与晶舟之间进行晶片的交接。

然而，在上述的热处理装置中，为了增加在一次工序中能够处理的晶片的片数，希望缩小由晶舟保持的晶片的间隔。在该情况下，若在输送机构设置有以与由晶舟支承的晶片的间隔相等的间隔配置的多个晶片叉，则能够将多个晶片一次性地搭载于晶舟，并能够从晶舟一次性地取出多个晶片。因而，除了能够增加通过一次工序能够处理的晶片片数之外，通过缩短晶片输送时间，也能够提高吞吐量。

但是，在为了与晶舟的晶片间隔一致而缩小多个晶片叉的间隔的情况下，产生严密地调整晶片叉的间隔的需要。

并且，例如当因晶舟的热膨胀等而晶片间隔发生变化时，会产生无法从晶舟取出晶片的情形。

此外，当在晶片叉与载体之间交接晶片之际，若载体中的晶片间隔与晶片叉的间隔不相等，则结果会导致无法缩短晶片输送时间。另一方面，在半导体制造工厂内，例如也存在晶片间隔不同的批处理式的半导体制造装置，因此，与特定的热处理装置一致地使载体内的晶片间隔变更的做法并不方便。因此，不得不反复进行利用晶片叉将一片晶片搭载于晶舟的步骤，存在无法提高晶片输送效率的问题。

发明内容

本公开是鉴于上述的情况而完成的，提供能够提高基板输送效率的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。

根据本公开的第一方式，提供一种热处理装置，该热处理装置具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在上述基板保持件与上述基板容器之间交接上述多个基板，其中，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于上述基板容器共同地进退，且相对于上述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承上述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。

根据本公开的第二方式，提供一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，上述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，上述基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板。该第二方式所提供的基板输送方法包括：使上述至少两个基板支承部共同地进入上述基板容器内的工序；利用上述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序；使上述至少两个基板支承部共同地从上述基板容器退出的工序；利用上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所支承的第一基板送入上述基板保持件的工序；以及利用上述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部将该基板支承部所支承的第二基板送入上述基板保持件中的、由上述下方的基板支承部送入的上述第二基板的下方的工序。