[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201210261996.2 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN103579008A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 彭冰清 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/488
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 盘结 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种焊盘结构的制备方法,包括:

提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层;

在所述叠层上沉积第一钝化层;

蚀刻所述第一钝化层,形成第一开口以露出所述顶部金属层;

沉积焊盘金属层,通过所述第一开口与顶部金属层相连;

平坦化所述焊盘金属层;

蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分,以露出所述第一钝化层;

沉积第二钝化层;

蚀刻所述第二钝化层形成第二开口,以露出所述焊盘金属层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一钝化层包括依次层叠的PESIN层、PETEOS层、SiN层和TEOS层。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述PESIN层的厚度为650-850埃,所述PETEOS层的厚度为3800-4200埃,所述SiN层的厚度为650-850埃,所述TEOS层的厚度为2400-2600埃。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述PESIN层的厚度为750埃,所述PETEOS层的厚度为4000埃,所述SiN层的厚度为750埃,所述TEOS层的厚度为2500埃。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一钝化层的沉积方法为化学气相沉积法。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层包括三层,自下而上依次为TaN层,第一Al层和第二Al层。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述TaN层的厚度为600-800埃,第一Al层的厚度为7.5-9.5千埃,第二Al层的厚度为7.5-9.5千埃。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述TaN层的厚度为700埃,第一Al层的厚度为8.5千埃,第二Al层的厚度为8.5千埃。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的沉积方法为物理气相沉积法。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的厚度比目标厚度多800-2000埃。

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的厚度比目标厚度多1000埃 。

12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述平坦化所述焊盘金属层的过程中去除800-2000埃厚度的Al层。

13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述平坦化所述焊盘金属层的过程中去除1000埃厚度的Al层。

14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二钝化层包括依次层叠的PETEOS层和SiN层。

15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述PETEOS层厚度为5000-6000埃,所述SiN层的厚度为5000-7000埃。

16.根据权利要求14或15所述的方法,其特征在于,所述PETEOS层厚度为4000埃,所述SiN层的厚度为6000埃。

17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二钝化层的沉积方法为化学气相沉积法。

18.一种权利要求1至17之一所述方法制备得到的焊盘结构,其中,所述第二钝化层中第二开口所露出的焊盘金属层的表面为平面。 

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