[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法在审
申请号: | 201210261996.2 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN103579008A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 彭冰清 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盘结 及其 制备 方法 | ||
1.一种焊盘结构的制备方法,包括:
提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层;
在所述叠层上沉积第一钝化层;
蚀刻所述第一钝化层,形成第一开口以露出所述顶部金属层;
沉积焊盘金属层,通过所述第一开口与顶部金属层相连;
平坦化所述焊盘金属层;
蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分,以露出所述第一钝化层;
沉积第二钝化层;
蚀刻所述第二钝化层形成第二开口,以露出所述焊盘金属层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一钝化层包括依次层叠的PESIN层、PETEOS层、SiN层和TEOS层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述PESIN层的厚度为650-850埃,所述PETEOS层的厚度为3800-4200埃,所述SiN层的厚度为650-850埃,所述TEOS层的厚度为2400-2600埃。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述PESIN层的厚度为750埃,所述PETEOS层的厚度为4000埃,所述SiN层的厚度为750埃,所述TEOS层的厚度为2500埃。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一钝化层的沉积方法为化学气相沉积法。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层包括三层,自下而上依次为TaN层,第一Al层和第二Al层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述TaN层的厚度为600-800埃,第一Al层的厚度为7.5-9.5千埃,第二Al层的厚度为7.5-9.5千埃。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述TaN层的厚度为700埃,第一Al层的厚度为8.5千埃,第二Al层的厚度为8.5千埃。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的沉积方法为物理气相沉积法。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的厚度比目标厚度多800-2000埃。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊盘金属层的厚度比目标厚度多1000埃 。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述平坦化所述焊盘金属层的过程中去除800-2000埃厚度的Al层。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述平坦化所述焊盘金属层的过程中去除1000埃厚度的Al层。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二钝化层包括依次层叠的PETEOS层和SiN层。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述PETEOS层厚度为5000-6000埃,所述SiN层的厚度为5000-7000埃。
16.根据权利要求14或15所述的方法,其特征在于,所述PETEOS层厚度为4000埃,所述SiN层的厚度为6000埃。
17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二钝化层的沉积方法为化学气相沉积法。
18.一种权利要求1至17之一所述方法制备得到的焊盘结构,其中,所述第二钝化层中第二开口所露出的焊盘金属层的表面为平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造