[发明专利]发光二极管、封装件与制造方法有效

专利信息
申请号: 201210258932.7 申请日: 2012-07-24
公开(公告)号: CN103325929A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 辛嘉芬;赖律名;陈盈仲 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种发光二极管、包含发光二极管的封装件及形成发光二极管封装件的方法。

背景技术

发光二极管或激光二极管广泛地使用在很多应用。一半导体发光装置包括具有一个或多个半导体层的一发光二极管。当此些层结构件接受能量时,可发射一致或非一致的光线。在制造过程中,多数的发光二极管半导体芯片形成于半导体晶圆中。晶圆被针探及测试,以精确地鉴定各芯片的颜色特性,如色温。然后,晶圆被切割,以切割晶圆成多个芯片。发光二极管芯片一般被封装以提供外部电性连接部、散热鳍片、透镜或导波器(waveguide)、环境保护及/或其它特征。传统形成发光二极管封装件的方法包括例如是芯片黏结、打线、包覆、测试等工艺。

结合一萤光剂到发光二极管封装件是有需求的,以提升在一特定频带的发射辐射(emitted radiation)及/或以转换至少一些辐射至另外频带。传统地,萤光剂被包含于发光二极管芯片的封装过程。在一技术中,萤光剂可悬浮于发光二极管封装件的封装胶体中。在另一技术中,于黏晶与打线接合的步骤后,萤光剂可经由点胶或喷射涂布直接地包覆于发光二极管芯片上。

然而,在点胶方法中,去控制萤光剂的厚度是困难的。萤光剂厚度的差异造成自发光二极管封装件输出的光线的非一致性。喷射涂布方法提供较佳的厚度控制,但因为萤光剂有时覆盖部分的工件而非需求部位,使得由于萤光剂的浪费而变得昂贵。

在萤光剂添加后,另一测试可以被执行以决定具有萤光剂的发光二极管芯片的发光是否符合所要的色彩特性,如色温。任何未获满意的封装件可被丢弃或重工。重工一般涉及到手动移除昂贵的萤光剂或手动增加额外的萤光剂以弥补一萤光剂的不足。手动过程明显地增加手工成本。

已有人提出通过一可图案化膜或网板印刷将一萤光涂层涂布于一半导体发光二极管晶圆上(同时露出各芯片的接合垫)。然而,可图案化膜需要一昂贵光罩。网板印刷无法选择性地提供涂布一非常薄的萤光层,一般在100微米以下,此萤光层包括具有直径5至15微米的萤光粒子。

发明内容

发光二极管、封装件及制造方法的多个实施例具有数个特征,各实施例并不受到本身揭露所限定。实施例的范围不受权利要求书所限,其突出的特征将简要地描述。在参照以下描述,特别是阅读”实施方式”后,应可了解本实施例的特征如何提供本文的效果。

本发明一实施例具有一简单且有效的方法,选择性地涂布一萤光涂层在一半导体晶圆,可在切割及芯片封装前提供进行晶圆级色彩测试。

根据本发明的一实施例,提出一种发光二极管元件。发光二极管元件包括发光二极管芯片,发光二极管芯片具有一出光面及至少一接垫。发光二极管元件更包括形成于出光面上并露出至少一接垫的一萤光层,萤光层包括数个萤光粒子及基体,其中此些萤光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分,第一部分埋设于基体内,而第二部分突出于基体的外表面。

根据本发明的另一实施例,提出一种发光二极管封装件。发光二极管封装件包括一基板及置于基板上的一发光二极管元件。发光二极管元件包括一具有一出光面的发光二极管芯片及至少一接垫。发光二极管元件更包括一形成于出光面上并露出至少一接垫的萤光层。萤光层包括数个萤光粒子及一基体,其中此些萤光粒子的至少一些具有一第一部分及一第二部分,第一部分埋设于基体内,第二部分突出于基体的一外表面。发光二极管封装件更包括至少一电性元件电性连接发光二极管芯片的至少一接垫至基板。发光二极管封装件更包括一封装胶体包覆发光二极管芯片及至少一电性元件。

根据本发明的另一实施例,提出一种芯片的制造方法。芯片具有一第一面及数个接垫,此些接垫设于第一面上。制造方法包括以下步骤。提供一暂时基板,暂时基板包括一结合面及数个突出部,此些突出部设于结合面上,暂时基板上的此些突出部的位置对应于芯片的第一面上的此些接垫的位置;形成一黏贴层于各突出部;结合暂时基板至芯片,使此些突出部经由黏贴层连接于各别对应的接垫,其中暂时基板的结合面面向芯片的第一面,且一点胶空间形成于结合面与第一面之间;填入一胶体于点胶空间内,以形成一胶层包覆此些接垫、此些突出部及黏贴层;以及,移除暂时基板而将此些接垫与此些突出部及黏贴层分离,并于胶层内形成数个开孔,此些开孔露出各别对应的此些接垫。

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的发光二极管封装件的剖视图。

图2A至2I绘示图4的发光二极管封装件的制造步骤的剖视图。

图3A及3B绘示依照一实施例的形成萤光层的制造步骤的剖视图。

图4绘示依照另一实施例的发光二极管封装件的剖面侧视图。

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