[发明专利]中介电常数低损耗的微波介质陶瓷

权利要求书

1.一种中介电常数低损耗的微波介质陶瓷，其化学式为：Zn(Ta_0.8Sb_0.2)₂O₆。

2.根据权利要求1的中介电常数低损耗的微波介质陶瓷，其特征在，所述中介电常数低损耗的微波介质陶瓷采用ZnO、Ta₂O₅、Sb₂O₃为原料。

3.权利要求1的中介电常数低损耗的微波介质陶瓷的制备方法，具有以下步骤：

（1）将化学原料ZnO、Ta₂O₅、Sb₂O₃按化学计量式Zn(Ta_0.8Sb_0.2)₂O₆称量配料；

（2）将步骤（1）配置的化学原料置入球磨罐中混合，加入氧化锆球和去离子水，球磨24小时；

（3）将步骤（2）球磨后的原料置于干燥箱中于100~120℃烘干，烘干后过40目筛；

（4）将步骤（3）的粉料在900℃煅烧4小时，合成前驱体；

（5）在步骤（4）的前驱体即熔块中外加0.5%聚乙烯醇，置于球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨24小时，烘干后过筛,；

（6）将步骤（5）过筛后的粉料再用粉末压片机压制成型为坯体；

（7）将步骤（6）的坯体于1225~1275℃烧结，保温2~8小时，制成中介电常数低损耗的微波介质陶瓷。

4.根据权利要求3的中介电常数低损耗的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）和步骤（5）的球磨是在行星式球磨机上进行，原料与去离子水与锆球的质量比为1：1：1.5。

5.根据权利要求3的中介电常数低损耗的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）的坯体是以10MPa的压力压制成型，为Φ10mm×5mm的圆柱形坯体。