[发明专利]覆板太阳能电池

说明书

技术领域

一般而言，本发明涉及太阳能电池，更具体而言，涉及覆板(superstrate)太阳能电池。

背景技术

太阳能电池包括p型掺杂的吸收层和n型掺杂的缓冲层。对于一些覆板太阳能电池，在形成缓冲层(例如，CdS)之后在高温下沉积吸收层。然而，在高温下沉积吸收层期间在缓冲层和吸收层之间存在元素的交叉扩散。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种制造太阳能电池的方法，包括：在衬底上方形成前接触层，其中所述前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过所述前接触层划割第一划片区以暴露一部分所述衬底；在所述前接触层和所述第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在所述缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在所述吸收层上方形成导电的后接触层。

在上述方法中，其中，通过机械划片或者激光划片形成所述第一划片区。

在上述方法中，进一步包括：穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层。

在上述方法中，进一步包括穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层，其中，用所述后接触层填充所述第二划片区。

在上述方法中，进一步包括穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层，其中，用所述后接触层填充所述第二划片区，且所述方法进一步包括：穿过所述后接触层、所述吸收层、和所述缓冲层划割第三划片区以暴露一部分所述前接触层。

在上述方法中，其中，形成所述吸收层包括：沉积前体金属层；以及应用快速热处理。

在上述方法中，其中，形成所述吸收层包括：沉积前体金属层；以及应用快速热处理，且所述方法进一步包括蒸发化学元素Se。

在上述方法中，其中，形成所述吸收层包括沉积前体金属层，以及应用快速热处理，其中，在约400～600℃的温度下实施所述快速热处理，持续约30分钟以下的时间。

在上述方法中，其中，形成所述吸收层包括沉积前体金属层，以及应用快速热处理，其中，所述前体金属层包含Cu、In、Ga、Se、或者其任意组合。

根据本发明的另一方面，还提供了一种太阳能电池，包括：衬底；前接触层，被设置在所述衬底上方；缓冲层，掺杂有n型掺杂剂，被设置在所述前接触层上方；吸收层，掺杂有p型掺杂剂，被设置在所述缓冲层上方；后接触层，是导电的并被设置在所述吸收层上方；第一划片区，垂直分开所述前接触层，所述第一划片区被所述缓冲层和所述吸收层填充，其中，所述前接触层在特定波长下是光学透明的，且是导电的。

在上述太阳能电池中，进一步包括第二划片区，所述第二划片区垂直分开所述缓冲层和所述吸收层。

在上述太阳能电池中，进一步包括第二划片区，所述第二划片区垂直分开所述缓冲层和所述吸收层，其中，所述第二划片区被所述后接触层填充。

在上述太阳能电池中，进一步包括第二划片区，所述第二划片区垂直分开所述缓冲层和所述吸收层，其中，所述第二划片区被所述后接触层填充，所述太阳能电池进一步包括第三划片区，所述第三划片区垂直分开所述缓冲层、所述吸收层、和所述后接触层。

在上述太阳能电池中，其中，衬底包含玻璃或者聚酰亚胺。

在上述太阳能电池中，其中，所述前接触层包括透明导电氧化物(TCO)。

在上述太阳能电池中，其中，所述缓冲层包含CdS、In_xSe_y、In(OH)_xS_y、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnS(O，OH)、ZnIn₂Se₄、ZnMgO、或者其任意组合。

在上述太阳能电池中，其中，所述吸收层包含CuInSe₂、CuGaTe₂、Cu₂Ga₄Te₇、CuInTe₂、CuInGaSe₂、CuInGaSeS₂、CuInAlSe₂、CuInAlSeS₂、CuGaSe₂、CuAlSnSe₄、ZnIn₂Te₄、CdGeP₂、ZnSnP₂、或者其任意组合。