[发明专利]覆板太阳能电池

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，包括：

在衬底上方形成前接触层，其中所述前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；

穿过所述前接触层划割第一划片区以暴露一部分所述衬底；

在所述前接触层和所述第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；

在所述缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及

在所述吸收层上方形成导电的后接触层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过机械划片或者激光划片形成所述第一划片区。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层，其中用所述后接触层填充所述第二划片区，且所述方法进一步包括穿过所述后接触层、所述吸收层、和所述缓冲层划割第三划片区以暴露一部分所述前接触层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述吸收层包括：

沉积前体金属层；以及

应用快速热处理。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括蒸发化学元素Se；或者在约400～600℃的温度下实施所述快速热处理，持续约30分钟以下的时间；或者

其中所述前体金属层包含Cu、In、Ga、Se、或者其任意组合。

6.一种太阳能电池，包括：

衬底；

前接触层，被设置在所述衬底上方；

缓冲层，掺杂有n型掺杂剂，被设置在所述前接触层上方；

吸收层，掺杂有p型掺杂剂，被设置在所述缓冲层上方；

后接触层，是导电的并被设置在所述吸收层上方；

第一划片区，垂直分开所述前接触层，所述第一划片区被所述缓冲层和所述吸收层填充，

其中，所述前接触层在特定波长下是光学透明的，且是导电的。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，进一步包括第二划片区，所述第二划片区垂直分开所述缓冲层和所述吸收层，所述第二划片区被所述后接触层填充，且所述太阳能电池进一步包括第三划片区，所述第三划片区垂直分开所述缓冲层、所述吸收层、和所述后接触层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，衬底包含玻璃或者聚酰亚胺；所述前接触层包括透明导电氧化物(TCO)；所述缓冲层包含CdS、In_xSe_y、In(OH)_xS_y、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnS(O，OH)、ZnIn₂Se₄、ZnMgO、或者其任意组合；所述吸收层包含CuInSe₂、CuGaTe₂、Cu2Ga₄Te₇、CuInTe₂、CuInGaSe₂、CuInGaSeS₂、CuInAlSe₂、CuInAlSeS₂、CuGaSe₂、CuAlSnSe₄、ZnIn₂Te₄、CdGeP₂、ZnSnP₂、或者其任意组合；所述后接触层包含Mo、Pt、Au、Cu、Cr、Al、Ca、Ag、或者其任意组合。

9.一种制造太阳能电池的方法，包括：

在衬底上方形成前接触层，其中所述前接触层在特定波长下是光学透明的，且是导电的；

穿过所述前接触层划割第一划片区以暴露一部分所述衬底；

在所述前接触层和所述第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；

在所述缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；

穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层；

在所述吸收层和所述第二划片区的上方形成导电的后接触层；以及

穿过所述后接触层、所述吸收层、和所述缓冲层划割第三划片区以暴露一部分所述前接触层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述吸收层包括：

沉积前体金属层，所述前体金属层包括Cu、In、Ga、Se、或者其任意组合；

蒸发Se；以及

应用快速热处理。