[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述衬底表面形成第一介质层；

在第一区域上方的第一介质层中形成贯穿所述第一介质层厚度的第一类插塞；

在所述第一介质层和第一介质层中第一类插塞表面形成第二介质层；

在第一区域上方形成贯穿所述第二介质层厚度、且与所述第一类插塞连接的第一类金属互连层；

在所述第二介质层和第二介质层中第一类金属互连层表面由下至上依次形成N-2层介质层；

在第二区域上方形成贯穿第一介质层至第N介质层厚度的第二类插塞；

其中，N为大于2的正整数。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一介质层至第N介质层的材质为低介电常数材料或超低介电常数材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二类插塞的步骤包括：

在第二区域上方形成贯穿第一介质层至第N介质层厚度的第二类通孔；

在所述第二类通孔中填充金属材料，形成第二类插塞。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二类插塞的步骤包括：

在所述第N层介质层表面形成第N+1介质层；

在第二区域上方形成贯穿第一介质层至第N介质层厚度的第二类通孔以及与所述第二类通孔正对且贯穿所述第N+1介质层厚度的第二类沟槽；

在所述第二类通孔和第二类沟槽中填充金属材料，形成贯穿第一介质层至第N介质层厚度的第二类插塞和贯穿第N+1介质层厚度的第二类金属互连层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二类通孔和第二类沟槽构成大马士革结构，所述大马士革结构的形成方法为先形成通孔再形成沟槽、先形成沟槽再形成通孔或自对准工艺中的一种。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类插塞的材质为铜。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二类插塞的材质为铜。

8.如权利要求6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类插塞或第二类插塞的形成工艺为物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当N为3时，还包括：在第三介质层形成后，在第一区域上方形成贯穿第三介质层厚度且与第二介质层中第一类金属互连层连接的第一类插塞。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三介质层和第三介质层中第一类插塞表面形成第四介质层；

形成贯穿所述第四介质层厚度且与第三介质层中第一类插塞和第一介质层至第三介质层中第二类插塞连接的金属互连层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当N为4时，所述半导体结构的形成方法还包括：

在第三介质层形成后，在第一区域上方形成贯穿第三介质层厚度且与第二介质层中第一类金属互连层连接的第一类插塞；

在第三介质层和第三介质层中第一类插塞表面形成第四介质层；

形成贯穿第四介质层厚度且与第三介质层中第一类插塞连接的第一类金属互连层。