[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210210011.3 申请日: 2012-06-25
公开(公告)号: CN103515519A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 林新强 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/64;H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其包括间隔设置的第一电极及第二电极、设于第一电极及第二电极之间的基板、及分别设置于第一电极及第二电极上顶面的发光芯片,其特征在于:所述第一电极的顶面位于所述第二电极顶面所在平面的一侧上方,从而使得所述发光芯片之间具有一高度差,所述基板的顶面的相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端,并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸。

2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述基板的顶面为一斜面,所述第一电极的顶面及第二电极的顶面均为平面且平行设置。

3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述基板的顶面与第一电极、第二电极的顶面之间形成一夹角,所述夹角的角度为40至60度之间。

4.如权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:所述夹角的角度为57.5度。

5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述第一电极顶面所在的平面上方形成第一收容部,所述第一电极顶面所在的平面与第二电极的顶面之间形成形成第二收容部,所述发光芯片分别位于第一收容部及第二收容部的底部。

6.如权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:所述第一收容部朝向第一电极倾斜延伸的内表面与第一电极顶面之间形成的夹角等于所述第二收容部朝向第二电极倾斜延伸的内表面与第二电极顶面之间形成夹角,且该夹角的范围为40至60度之间。

7.如权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:所述夹角为57.5度。

8.一种发光二极管的制造方法,其包括:

提供第一电极及第二电极,使第一电极的顶面位于第二电极的顶面上方,且第一电极的顶面平行于第二电极的顶面;

提供基板,将该基板结合于第一电极及第二电极,且基板的顶面相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端,并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸;

提供至少二发光芯片,将所述发光芯片分别位于第一电极及第二电极的顶面上,从而使得所述发光芯片之间具有一高度差。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述基板的顶面为斜面,且所述斜面与第一电极、第二电极的顶面之间形成的夹角为40至60度之间。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述斜面与第一电极、第二电极的顶面之间形成的夹角为57.5度。

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