[发明专利]一种半导体硒膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210209755.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102703946A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 巩江峰;张开骁;张博;朱卫华 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;H01L21/08 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制备 方法 | ||
1.一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）电解液的配制：将含硒化合物溶于酸溶液或碱溶液，即得电解液；
（2）半导体硒膜的制备：以衬底作为工作电极，在所述电解液中进行电化学沉积反应，沉积电位为-0.2~-2.0V，即得半导体硒膜。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述含硒化合物为SeO2、Na2SeO3或K2SeO3。
3.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述酸溶液为硫酸水溶液或硝酸水溶液。
4.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述碱溶液为氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液。
5.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述酸溶液或碱溶液的浓度为0.1-3.0mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述电解液中含硒化合物的浓度2-100mmol/L。
7.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述衬底选自氧化铟锡玻璃、掺氟的SnO2玻璃、掺锑的SnO2玻璃、掺铝的ZnO玻璃、不锈钢箔、Al箔、Cu箔、Ti箔、Mo箔和镀有导电层的聚酰亚胺膜中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，反应温度为20-90℃。
9.根据权利要求1所述的一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，反应时间为5-60分钟。
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