[发明专利]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201210206024.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709420A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 郑建森;林素慧;彭康伟;洪灵愿;尹灵峰 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管，包括：一具正、背两面的衬底；外延层，形成于所述衬底的正面上，自上而下依次包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：还包括
第一反射层，位于所述电流扩展层与外延层之间，其呈带状分布在外延层的边缘区域；第二反射层，位于所述衬底的背面。
2.根据权利要求1所述一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：还包括一第三反射层，形成于所述电流扩展层与P电极之间，其位于所述P电极的正下方。
3.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一反射层分布在外延层的边缘区域，形成一个闭合的环形。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述P电极位于电流扩展层的一个边缘区域，所述第一反射层位于所述远离P电极的外延层的边缘区域。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一反射层的带状宽度为5~30微米。
6.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一反射层的面积占所述外延层发光面积的5%~30%。
7.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第三反射层的直径为50~200微米。
8.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一反射层为分布布拉格反射层、金属反射层或全方位反射层。
9.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第二反射层为分布布拉格反射层、金属反射层或全方位反射层。
10.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第三反射层为分布布拉格反射层、金属反射层或全方位反射层。
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