[发明专利]电介质陶瓷组合物以及电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷组合物以及该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。更为详细的是涉及既能够良好地保持各种各样的特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物以及该电介质陶瓷组合物被适用的电子部件。

背景技术

作为陶瓷电子部件的一个例子的陶瓷电容器是作为小型、高性能、高可靠性的电子部件而被广泛利用，在电子设备以及电子设备中所使用的个数正在不断地增多。近年来伴随着机器的小型化以及高性能化而对于陶瓷电容器的更进一步小型化、高性能化以及高可靠性化的要求越来越严格。

例如，在高电压条件下所使用的高电压用陶瓷电容器主要是被用于送配电设备和处理脉冲能量的设备等。

作为高电压用陶瓷电容器例如可以例示贯通型陶瓷电容器。贯通型陶瓷电容器是为了隔断从微波炉所具备的磁控管（magnetron）泄露出来的高频噪声而被使用的。电容器元件主体因为连续接收由高电压所产生的电荷，所以恐怕会对元件主体的电介质层造成绝缘破坏。如果发生像这样的绝缘破坏，则微波炉将发生故障，并会有引起火灾和触电的担忧。

因此，为了防止电介质层发生绝缘破坏而有必要将耐电压性良好的电介质陶瓷组合物适用于电介质层。另外，为了抑制电容器发热而要求介质损耗低的电介质陶瓷组合物。而且，为了提高隔断高频噪声的效果或者为了响应小型化的需求而对电介质陶瓷组合物要求有高电容率。

相对于像这样的要求，例如在专利文献1中记载有一种将稀土类元素、Fe、Ni以及Zn添加到由组成式（Ba_1-xCa_x）（Ti_1-yZr_y）O₃所表示的主成分中的陶瓷电容器。在专利文献1的实施例中记载有电容率为10000以上的样品。但是，在实施例中所记载的样品其介质损耗超过1%的居多数，交流破坏电压也在5kV／mm左右。

另外，在专利文献2中记载有一种将作为副成分的稀土类元素、Mg、Fe、Ni以及Zn添加到由组成式（1-α）BaTiO₃-αBaZrO₃所表示的主成分中的陶瓷电容器。在专利文献2的实施例中所记载的样品的电容率为3500左右。另外，多数样品的介质损耗超过1%，交流破坏电压也在6kV/mm左右。

另外，在专利文献3中记载有一种以将Bi、Sn、Zr、Al、Si以及Mn添加于BaTiO₃的组合物作为主成分，并将Li、Fe、Ni、Zn、Sr、La以及Ta添加到该主成分的电介质陶瓷组合物。

然而，在以更高的电压进行使用的情况下，专利文献1以及2所记载的电容器将会有所谓交流破坏电压不够充分的问题。另外，专利文献3所记载的电介质陶瓷组合物并不是高电压用而是温度补偿用，关于交流破坏电压没有被评价过。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2006-96576号公报

专利文献2：日本专利申请公开2005-67941号公报

专利文献3：日本专利申请公开昭52-92400号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明鉴于以上所述现状，其目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物，并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。

解决技术问题的手段

即，解决上述课题的本发明正如以下所述。

（1）电介质陶瓷组合物含有由组成式Ba_x（Ti_1-ySn_y）O₃所表示的化合物和Zn的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。

（2）如所述（1）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，所述Nb的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb₂O₅时为0.6重量份以下。

（3）如所述（2）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Si的氧化物，所述Si的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成SiO₂时为2.0重量份以下。