[发明专利]一种陶瓷电路板的制备方法有效
申请号: | 201210198793.3 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN102695370A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 胡延超;陈彬;王田军;徐斌 | 申请(专利权)人: | 惠州市富济电子材料有限公司 |
主分类号: | H05K3/18 | 分类号: | H05K3/18;H05K3/38;C23C18/38;C23C18/36;C23C18/44 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任海燕 |
地址: | 516081 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 电路板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及陶瓷表面改性技术,特别涉及一种陶瓷异型材表面金属化的方法,具体为一种陶瓷电路板的制备方法。
背景技术
陶瓷表面金属化是一种方兴未艾的技术,所生产的陶瓷线路板可以应用于大功率IGBT模块产品,大功率LED照明产品,大功率高频微波等产品中。这种线路板具有很高的热导率和大电流负载能力;耐高温耐高压性能优良;能适应高温、高压、高磨损、强腐蚀的恶劣工作环境,满足产品在各种场合的应用要求。在陶瓷表面金属化的方法很多,试列举部分专利进行说明。
CN101460014是关于一种基板的直接镀铜(DPC)金属化制造工艺,主要于一基板上先进行凿孔、穿孔电连接等先前处理步骤后,于基板表面以溅镀方式依序形成钛层及铜层,并于贴上干膜后而进行曝光、显影等步骤,随后于线路图案上镀铜以形成铜线路,完成后即剥离干膜,再依序于铜线路上镀镍及镀金,即完成金属化制造工艺。这种穿孔-溅射-贴膜-显影-镀铜-剥离膜-镀镍的工艺,流程比较长,良率不高。且所用的溅射设备非常昂贵,不利于大规模应用。类似的技术还有CN101135051,其实施步骤为:将金属或陶瓷基材表面以PVD技术(Physical Vapor Deposition)按批次连续进行表面处理镀覆导热绝缘层,于导热绝缘层上再以PVD技术按批次连续进行表面处理镀覆导电层,该导电层包含铬(Cr)、铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)实施金属化处理,于导电层表面再施以电镀处理技术,使电镀层结合于导电层上并达到导电层增厚目的。以及CN102208352A涉及一种陶瓷镀铜基板制造方法及其结构,其包含:选定一陶瓷基板;利用溅镀制程在陶瓷基板表面形成一镍金属层;将一铜金属层镀膜于镍金属层上;应用压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式来形成线路图案;以及把铜金属层上的抗蚀刻干膜剥除形成陶瓷镀铜基板。本发明的陶瓷基板表面先进行溅镀镍金属层,使其表面金属化或完成镀通孔壁作用,而镍金属层可与铜金属层共享相同的蚀刻药水来制作线路图案,故具有一般性印刷电路板的制程考虑,有效减化制程并且降低材料及制造成本,亦有效地提升陶瓷基板与各金属镀层之间的抗撕离或黏合强度,藉以强化整体的结构强度。
CN1639085是一种湿法化学金属化钛酸盐基陶瓷的方法,包括如下步骤:浓硫酸粗化陶瓷;胶体钯活化在;将得到的陶瓷进行化学金属化。这种技术方案流程较长,而且所用浓硫酸会造成严重污染排放并恶化工厂环境。类似的方案还有 CN101798238A提供一种减少重金属离子的使用及残余,降低污染、节约资源、操作简便的陶瓷金属化的方法。本发明是采用下述技术方案实现的:它包括以下步骤:A)将陶瓷基体先置入NaOH粗化处理;再置入HF和H2SO4中粗化处理;以及 CN1362536是在陶瓷基底上沉积一层化学镀铜层,然后再浸镀银,具体的过程为先除油、粗化、敏化、活化和化学镀铜,然后在银浸镀液中浸镀,浸镀后水洗、烘干。 CN102409322A涉及一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极的制造工艺。该工艺包括陶瓷元件制备、清洗干燥、粗化、印刷、活化、浸泡、预镀、镀铜、脱水干燥、热处理、焊接、测试等步骤。 CN1740382在SiC陶瓷颗粒表面化学镀铜方法,首先对SiC陶瓷颗粒表面进行硝酸粗化处理,用钨粉、双氧水,无水乙醇和冰乙酸制备得到溶胶,然后将粗化处理后的SiC陶瓷颗粒泡入溶胶之中并辅以超声振荡,使在陶瓷颗粒表面形成溶胶薄层,再经干燥及氢气还原,得到镀覆钨的SiC陶瓷颗粒后,再进行化学镀铜处理。由于铜对钨良好的润湿性和钨自身的催化活性,从而可以得到铜包裹均匀的陶瓷。
CN1919515是一种表面合金化陶瓷的应用方法。利用本发明方法设计的复合靶,在加弧辉光炉中对普通陶瓷进行表面合金化,复合靶由活性金属钛(或锆、铪)和其它所需金属材料(如铁、 铬、镍、锰、钼、铜、铝、银等)一种或几种按一定比例机械组合,复合靶在电弧热的作用下蒸发或熔化,金属离子在高电场的作用下高速撞击在陶瓷表面。其优点是渗镀速度快,金属结合强度高,合金层厚度可达100μm以上。这种方法可实现多种类型表面合金化陶瓷和层状复合材料的制备。这种方法所得金属化层与基材的结合力差。
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