[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电气元件领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管（Thin Film Transistor，以下简称TFT）液晶显示技术的发展，用户对于薄膜晶体管液晶显示屏的要求也越来越高。

其中氧化物晶体管技术具有迁移率高、均匀性好特点，故使用氧化物晶体管的液晶显示器为液晶显示技术的发展方向之一。

在现有技术中，使用氧化物晶体管的液晶显示屏，例如铟镓锌氧化物晶体管，因其易于大面积生产以及与现有的生产线的兼容性好等优点而受到广泛关注。

但是，作为栅极绝缘层的氧化硅或氮化硅易不能有效地阻挡氢、水气扩散至有源层，从而破坏形成的氧化物晶体管的电学性能；并且会使氧化物晶体管阀值电压的漂移，从而增大形成的氧化物晶体管的电能消耗过大。

发明内容

本发明的实施例提供一种可较好地控制电学性能的TFT及其制备方法、阵列基板、显示装置。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管，包括：基板以及依次设置在基板上的栅极、第一栅极绝缘层和有源层；所述第一栅极绝缘层包裹所述栅极，所述有源层包裹所述第一栅极绝缘层，且所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝。

一种阵列基板，包括至少一个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管，包括：基板以及依次设置在基板上的栅极、第一栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层；所述第一栅极绝缘层包裹所述栅极，所述有源层包裹所述第一栅极绝缘层，且所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝。

一种显示装置，包括至少一个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管，包括：基板以及依次设置在基板上的栅极、第一栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层；所述第一栅极绝缘层包裹所述栅极，所述有源层包裹所述第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝。

一种薄膜晶体管制备方法，包括：

在基板上通过构图工艺形成栅极；

形成包裹所述栅极的第一栅极绝缘层，其中所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝；

形成有源层。

本发明实施例提供的一种TFT及其制备方法、阵列基板、显示装置，使有源层包裹栅极绝缘层和栅极，并且形成包含氧化铝的栅极绝缘层，因为氧化铝具有较好的致密性，从而有效地防止了扩散氢和水汽入栅极绝缘层和栅极，从而使TFT的电学性能更加稳定；另外可以更好地控制栅极绝缘层的厚度，更好地对TFT的阀值电压进行调整，降低了充电过程中电能的损耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明所述的TFT的第一种结构示意图；

图2为本发明所述的TFT的第二种结构示意图；

图3为本发明所述的TFT的第三种结构示意图；

图4为本发明实施例1所述的阵列基板的结构示意图；

图5为本发明实施例1所述的阵列基板中刻蚀形成通孔的结构示意图；

图6为本发明实施例2所述的阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例3所述的阵列基板的结构示意图；

图8为本发明与实施例1相对应的TFT制备方法的流程图；

图9为本发明与实施例2相对应的TFT制备方法的流程图；

图10为本发明与实施例3相对应的TFT制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明实施例一种TFT及其制备方法、阵列基板、显示装置进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一种TFT，如图1所示，包括：基板1以及依次设置在基板1栅极2、第一栅极绝缘层3、有源层4和源漏电极层6，所述第一栅极绝缘层3包裹所述栅极2，所述有源层4包裹所述第一栅极绝缘层3，所述第一栅极绝缘层3的材料包括氧化铝。

源漏电极层6覆盖在基板1上延伸出的有源层4并充分接触。