[发明专利]一种多层压敏电阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种多层压敏电阻器，包括压敏电阻体，以及瓷体内的内电极，其特征在于：所述的压敏电阻体是由ZnO-Bi₂O₃- SiO₂-SnO₂系瓷料体系组成，所述的内电极是纯Ag电极。

2.根据权利要求1所述的多层压敏电阻器，其特征在于：所述的ZnO-Bi₂O₃-SiO₂-SnO₂系瓷料体系,其具体摩尔配方组份为，ZnO 87.5～92.8mol%、Bi₂O₃ 0.5～3.0 mol%、SiO₂ 0.5～2.5mol%、SnO₂ 0.5～2.0mol%、Sb₂O₃0.5～2.0mol%、 TiO₂ 0.5～2.5mol%、 Co₃O₄ 0.3～1.0mol%、 MnCO₃ 0.5～1.0mol%、 Cr₂O₃ 0.2～0.5mol%、 Nd₂O₃ 0.01～0.1mol%、Al(NO₃)₃.9H₂O 0.003～0.01mol%。

3.一种根据权利要求1或2所述的多层压敏电阻器的制备方法，包括配料、配料球磨、流延、成型、干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端、电镀、测试工序，其特征在于： 所述的配料球磨是先将配方中的Bi₂O₃、SiO₂、SnO₂、Sb₂O₃、TiO₂、Co₃O₄、MnCO₃、Cr₂O₃、Nd₂O₃、Al(NO₃)₃.9H₂O混合球磨后，然后再与主材料ZnO配料球磨。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述的烧结工序中，在880℃～960℃温度下，保温5±1小时。