[发明专利]一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种制备反射膜的方法，本发明还涉及一种其背表面设置有利用上述方法制备的反射膜的晶体硅片，和具有上述晶体硅片的太阳能电池板。

背景技术

随着对太阳能电池研究的不断深入，晶体硅太阳能电池发展的重点是高效率及低成本。

常规太阳能电池板的晶体硅片采用背面印刷全铝背场结构，其具体生产工艺是：晶体硅片在经制绒、扩散、去PSG（Phospho Silicate Glass，含有较高磷浓度的硅氧化层，被称为磷硅玻璃）和正面形成减反射膜（晶体硅片受光面所涂的一层减少阳光反射的膜）后，在其背表面设置一层铝层，以提高开路电压及短路电流，即全铝背场。尽管采用此种工艺设置的结构有很多优点，但由于烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合（复合：晶体硅片背面的少数载流子减少的一种方式）和背反射效果方面具有一定的局限，特别是铝硅合金区本身即高复合区的局限更加明显，而且铝背场对太阳光的反射率偏低，长波响应较差，限制了太阳能电池光电转换效率的进一步提高。

在当前的技术水平下，短时间内大幅提高晶体硅片光电转换效率的发展空间不是很大，所以就需要在降低生产成本方面做出改进。为了降低原料成本，人们开始采用更薄的晶体硅片，而对于薄片化的晶体硅片来说，在其背表面仅仅设置全铝背场，不但限制了光电转换效率的进一步提高，还会因为晶体硅片本身较薄，使得太阳光容易从晶体硅片的背面透射过去，降低了晶体硅片吸收太阳光的效率。

综上所述，如何提供一种制备反射膜的方法，以实现降低晶体硅片背表面太阳光的透射率，进一步提高晶体硅片的光电转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种制备反射膜的方法，以降低晶体硅片背表面太阳光的透射率，进一步提高晶体硅片的光电转换效率，

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种制备反射膜的方法，用于在晶体硅片的背表面制备反射膜，包括以下步骤：

11）将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片放置到反应装置中；

12）向反应装置中充入保护气体，将所述反应装置中的温度设置为200℃-600℃，压强设置为反应压强并向所述反应装置中发射微波；

13）向所述反应装置中充入SiH₄和N₂O，保持其体积比例在1:1-1:3的范围内；

14）持续反应20min-100min，得到第一层SiO₂薄膜；

15）待SiH₄和N₂O达到步骤14）中所述反应时间后，停止充入SiH₄和N₂O，并向所述反应装置内充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，保持其体积比例在1:1-1:2的范围内，并将温度调整至400℃-800℃；持续反应10min-60min，得到第二层TiO₂薄膜；

16）待Ti(OC₃H₇)₄和O₂达到步骤15）中所述反应时间后，停止充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，将温度调整至200℃-600℃，并重复步骤13）；持续反应10min-60min，得到第三层SiO₂薄膜。

优选的，上述制备反射膜的方法中，还包括以下步骤：

21）在所述第三层SiO₂薄膜上刻蚀接触窗；

22）在所述接触窗上设置一层铝膜。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述接触窗通过激光刻蚀的方式设置在所述第三层SiO₂薄膜的表面。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述铝膜通过丝网印刷的方式设置在所述接触窗上。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述反应装置为石英炉管。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述保护气体为N₂。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述反应压强的范围为0.02mbar-0.2mbar。

优选的，上述制备反射膜的方法中，所述微波的功率为2500-3500W。