[发明专利]一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片

权利要求书

1.一种制备反射膜的方法，用于在晶体硅片（5）的背表面制备反射膜，其特征在于，包括以下步骤：

11）将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片（5）放置到反应装置中；

12）向反应装置中充入保护气体，将所述反应装置中的温度设置为200℃-600℃，压强设置为反应压强并向所述反应装置中发射微波；

13）向所述反应装置中充入SiH₄和N₂O，保持两者体积比例在1∶1-1∶3的范围内；

14）持续反应20min-100min，得到第一层SiO₂薄膜（1）；

15）待SiH₄和N₂O达到步骤14）中反应时间后，停止充入SiH₄和N₂O，并向所述反应装置内充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，保持其体积比例在1∶1-1∶2的范围内，并将温度调整至400℃-800℃；持续反应10min-60min，得到第二层TiO₂薄膜（2）；

16）待Ti(OC₃H₇)₄和O₂达到步骤15）中所述反应时间后，停止充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，将温度调整至200℃-600℃，并重复步骤13）；持续反应10min-60min，得到第三层SiO₂薄膜（3）。

2.根据权利要求1所述的制备反射膜的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

21）在所述第三层SiO₂薄膜（3）上刻蚀接触窗；

22）在所述接触窗上设置一层铝膜。

3.根据权利要求2所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述接触窗通过激光刻蚀的方式设置在所述第三层SiO₂薄膜（3）的表面。

4.根据权利要求3所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述铝膜通过丝网印刷的方式设置在所述接触窗上。

5.根据权利要求1所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述反应装置为石英炉管。

6.根据权利要求5所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述保护气体为N₂。

7.根据权利要求6所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述反应压强的范围为0.02mbar-0.2mbar。

8.根据权利要求7所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述微波的功率为2500-3500W。

9.一种晶体硅片，其特征在于，所述晶体硅片的背表面设置有反射膜，所述反射膜包括通过上述权利要求1-8中任意一项所述的制备反射膜的方法制备的第一层SiO2薄膜（1）、第二层TiO2薄膜（2）和第三层SiO2薄膜（3）。

10.一种太阳能电池板，其特征在于，其具有权利要求9中所述的晶体硅片。