[发明专利]一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法

说明书

技术领域

    本发明涉及的是一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法，应用于OJ产品碱洗前晶粒表面的处理。

技术背景

OJ产品在使用前需用混酸或碱对PN结表面进行处理，然后将PN结用有机树脂保护；但是在使用碱液对PN进行处理的过程中，由于焊接孔洞及晶粒合金层孔洞（一般的芯片正反面都合金层后才进行处理）的存在，碱液会从侧面结合缝处易渗透到晶粒台面，并与Si反应，导致晶粒表面金属合金层脱落。碱洗时间越长，温度越高越易对晶粒台面形成腐蚀，台面被腐蚀就使得焊接有效面积减少，给后续产品电性带来很大的危害。腐蚀情况如图1所示，芯片1的顶面和底面分别设有镍金层2；将带有镀覆镍金层2的芯片1置入碱液进行处理时，会在芯片1顶面边缘处形成腐蚀区域3；腐蚀反应（碱与硅反应）的化学方程式如下：

       Si +2OH^-+H₂ O— S i 0₃^2-+ 2 H₂。

发明内容

    本发明的目的在于提供一种可控制性好、工艺简单，能有效防止腐蚀现象发生的防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。

本发明的技术方案是：按以下步骤进行：

1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为 去离子水：KOH=10：1；

2）、将配置的碱溶液加热至50-110℃，保温；

3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应 1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；

4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；

5）、碱洗，完毕。

本发明用硅片在碱性条件下腐蚀是各向异性、即化学腐蚀速率与晶向（晶格排列方向）有关，且腐蚀速度逐渐降低的原理，在晶片加工合金层之前将晶片表面使用碱液腐蚀，大大降低晶粒在后续碱洗制程中Si与碱的反应速率，起到近似钝化的效果，最终实现防止OJ晶粒碱洗时侧向腐蚀的现象。

附图说明

图1是本发明背景技术的原理示意图，

图中1是芯片，2是镍金层，3是腐蚀区域。

具体实施方式

本发明的技术方案是：按以下步骤进行：

1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为 去离子水：KOH=10：1；

2）、将配置的碱溶液加热至50-110℃，保温；

3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应 1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；

4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；

5）、碱洗，完毕。

本发明在镀合金、碱洗工序前增加了一道浓碱腐蚀步骤，区别于本领域一直惯用的工艺流程。针对目前客户对半导体元件性能的高要求，先行“腐蚀钝化”，避免后续碱洗对成品品质的影响，提升了元器件的品质。