[发明专利]金属硬掩模的制造

权利要求书

1.一种制造金属硬掩模的方法，所述方法包括：

将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，所述至少一种金属反应气体包括金属卤素气体或金属有机气体；以及

使用所述至少一种金属反应气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种金属反应气体选自由卤素钛气体、有机钛气体、钽卤素气体、以及钽有机气体组成的组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述硬掩模金属层包括，通过等离子体增强型CVD(PECVD)或金属有机CVD(MOCVD)沉积钛层、氮化钛层、钽层、或氮化钽层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，利用对所沉积的硬掩模金属层进行的等离子体处理来调节所沉积的硬掩模金属层的应力和/或密度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述硬掩模金属层的应力被调节为介于大约1E9达因/cm²到大约-1E9达因/cm²之间，以及所述硬掩模金属层的密度被调节为大于大约4g/cm³。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述等离子体处理包括，停止所述至少一种金属反应气体流入所述反应室，以及使用由氮气、氨气、氩气、氦气、氢气、或其组合形成的等离子体轰击所沉积的硬掩模金属层。

7.根据权利要求4所述的方法，进一步包括，进行多次循环的硬掩模金属层CVD和等离子体处理，以形成多个硬掩模金属层，向上逐层沉积每个硬掩模金属层。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，将第二反应气体流入所述反应室中，其中，所述第二反应气体选自由氮气和氨气组成的组。

9.一种制造氮化钛(TiN)硬掩模的方法，所述方法包括：

将至少一种金属反应气体和至少一种载气流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，所述至少一种金属反应气体包括卤素钛气体或有机钛气体；以及

使用所述至少一种金属反应气体和所述至少一种载气通过CVD沉积硬掩模TiN层。

10.一种金属硬掩模，包括：

钛硬掩模金属层或钽硬掩模金属层，由包括金属氯化物气体或金属碳化物气体的至少一种金属反应气体通过化学汽相沉积(CVD)沉积而成，

其中，所述钛硬掩模金属层是使用卤素钛前体或有机钛前体通过等离子体增强型CVD(PECVD)或有机金属CVD(MOCVD)沉积而成，以及

其中，所述钽硬掩模金属层是使用卤素钽前体或有机钽前体通过PECVD或MOCVD沉积而成。