[发明专利]半导体受光装置

说明书

技术领域

本发明涉及在半绝缘性基板上集成多个受光元件的光通信用的半导体受光装置。

背景技术

以往，一个半导体受光装置中只要有一个受光元件就能够实现必要的传输容量。但是，由于FTTH(Fiber To The Home：光纤到户)等的普及等进一步提高了对大容量信息进行高速传输的要求。另外，还要求封装的小型化等。因此，逐渐形成了这样一种趋势，即在一个半导体受光装置中集成多个受光元件，并使用相同数量的光纤一次传输多个信号，利用透镜等使得由各受光元件进行接收。

但是，由于多个信号一次地同时传输过来，因而必须使多个受光元件彼此电分离。因此，有提出一种将多个受光元件集成到Fe-InP半绝缘性基板上并使它们电分离的半导体受光装置(例如，参照非专利文献1)。

现有技术文献

非专利文献

【非专利文献1】takemura et al，ECOC2010，P2.11，25Gbps x 4chPhotodiode Array with High Res ponsivity

发明内容

本发明要解决的问题

在以往的半导体受光装置中，多个受光元件的受光部被等间隔地配置在同一直线上。因此，在使用一枚焦点位置处于光轴中心的非球面透镜或球面透镜设计出向各受光部聚光的接收机的情况下，在处于偏离光轴中心位置的两端的受光部，像差的影响变大、耦合效率降低，感光灵敏度下降。为了减小像差的影响，可以使用大的透镜，或者使用焦点处于各受光部的轴上的透镜，但透镜变得非常昂贵。另外，如果过度缩小受光部的间隔，则电气以及光学分离性就会变差，出现电气以及光学串扰的问题。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的是获得一种能够抑制电气以及光学串扰并且即使使用比较廉价的透镜也可获得高感光感光度的半导体受光装置。

解决问题的方法

本发明的半导体受光装置的特征在于，具备：半绝缘性基板；和设置在所述半绝缘性基板上彼此电分离的n个(n是4以上的自然数)的受光元件，各受光元件具有：在所述半绝缘性基板上依次层叠的第1导电型的导电层、进行光电转换的光吸收层及窗口层、和设置在所述窗口层的一部分并且成为受光部的第2导电型的杂质扩散区，所述导电层的一部分由与所述光吸收层相同的材料构成，所述n个受光元件的受光部的全部不配置在同一直线上。

发明的效果

根据本发明，既能够抑制电气以及光学串扰，又能够使用比较廉价的透镜即可获得高感光灵敏度。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图2是沿图1的I-I I的剖视图。

图3是表示作为比较例的半导体受光装置的顶视图。

图4是表示本发明的第2实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图5是表示本发明的第3实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图6是表示本发明的第4实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图7是表示本发明的第5实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图8是表示本发明的第6实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图9是表示本发明的第7实施方式的半导体受光装置的顶视图。

图10是表示本发明的第8实施方式的半导体受光装置的顶视图。

符号的说明

1 Fe-InP半绝缘性基板(半绝缘性基板)

2a～21 受光元件

3 n型InGaAs导电层(导电层)

4 n型InP导电层(导电层)

5 i型InGaAs光吸收层(光吸收层)

6 i型InP窗口层(窗口层)

8 p型InP杂质扩散区(杂质扩散区)

9 受光部

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式的半导体受光装置。针对相同或相对应的结构要素标注相同的符号，有时会省略重复的说明。

第1实施方式

图1是表示本发明的第1实施方式的半导体受光装置的顶视图。图2是沿图1的I-II的剖视图。在Fe-InP半绝缘性基板1上设置有彼此电分离的4个受光元件2a～2d。