[发明专利]半导体发光装置的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置的形成方法。

背景技术

由于仍有技术待克服，发光二极管无法直接发出白光。若要发出白光，必须藉由两种生产技术：荧光粉转换技术(Phosphor Converted LED Approach)与晶粒转换技术(Multi-Chip LED Approach)。前者运用荧光材料，使蓝光发光二极管或紫外光(UV)发光二极管所激发的光与荧光粉的颜色混合后，得到白光；后者组合两种以上分别发不同颜色光的发光二极管，而产生白光。

在荧光粉转换技术中，荧光粉是转换色光的关键因素。如果荧光粉质量好，则发光二极管发出的光，具有鲜艳与拟真的色彩，其演色性可超过80，可应用于制作电浆电视机或高质量显示器；如果荧光粉质量差，则发光二极管发出的光，色彩偏蓝带绿，颜色失真。

图1A至图1C显示三种传统的荧光粉涂布结构。其中，一具有荧光粉6的覆盖层2覆盖发光二极管芯片4，依照荧光粉的位置，分为：(1)均匀分布(Uniform Distribution)，如图1A，荧光粉6被均匀地分布于覆盖层2中；(2)敷型涂布(Conformal Distribution)，如图1B，荧光粉6的位置靠近发光二极管芯片4；(3)远程涂布(Remote Phosphor)，如图1C，荧光粉6的位置远离发光二极管芯片4。

涂布技术的工艺会影响荧光粉分布的均匀性，进而影响发光二极管发光颜色的均匀性。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种新的荧光粉涂布技术，以减少因荧光粉涂布不均匀，所产生颜色分布不均的问题。

本发明一实施例提供一种半导体发光装置的形成方法，包括：形成至少一个磊晶结构于一第一基板上；提供一剥离胶合基板，其上形成至少一个荧光胶合区块；将每一个该荧光胶合区块相向地对准接触每一该磊晶结构；以及移除该剥离胶合基板，藉此，形成至少一个半导体发光装置。

在一实施例，在移除剥离胶合基板之前或之后，提供一能量使得荧光胶合区块耦合至磊晶结构，其中能量包括热能、光能或超音波。

附图说明

图1A至图1C显示三种传统的荧光粉涂布结构。

图2A至图2F显示根据本发明第一实施例半导体发光装置的形成方法。

图3A至图3G显示根据本发明第二实施例半导体发光装置的形成方法。

图4A与图4B显示根据另一实施例半导体发光装置的形成方法。

图5显示根据本发明实施例所制作的一种半导体发光装置数组。

图6显示根据另一实施例半导体发光装置的形成方法。

图7A与图7B显示根据另些实施例半导体发光装置的形成方法。

图8A与图8B显示根据另些实施例半导体发光装置的形成方法。

主要组件符号说明

10      第一基板

12/12'  磊晶结构

12a     第一型掺杂层

12b     发光层

12c       第二型掺杂层

12d       第一接触

12e       第二接触

14        剥离胶合基板

14a       第二基板

14b       剥离胶合层

16        透明胶合层

18/18A    荧光胶合区块

18a       透明胶合层

18b       荧光粉

20        部分

22        第三基板

24        连接垫

26        连线

28        黏胶层/磊晶层

具体实施方式

图2A至图2F显示根据本发明第一实施例半导体发光装置的形成方法。