[发明专利]用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法有效
| 申请号： | 201210162540.0 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103426813A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 介电常数 材料 进行 蚀刻 处理 方法 | ||
1.一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：
提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及
使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻后处理在功率为100~2000W且气体流速为10~1000sccm的条件下进行。
3.根据权利要求1所述的方法，在执行所述第一蚀刻后处理之后还包括：对所述低介电常数材料层进行蚀刻，以在所述低介电常数材料层的第一沟槽中形成第二沟槽的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一蚀刻后处理和形成所述第二沟槽的至少一部分的步骤循环进行，直至形成完整的所述第二沟槽为止。
5.根据权利要求4所述的方法，在形成所述第二沟槽的至少一部分的步骤之后或在形成完整的所述第二沟槽之后还包括：使用N2、N2/H2和CH4中的至少一种作为蚀刻气体执行第二蚀刻后处理，以修复所述低介电常数材料层中经蚀刻产生的损伤。
6.根据权利要求1所述的方法，在形成所述第一沟槽之后、执行所述第一蚀刻后处理之前还包括：使用N2、N2/H2和CH4中的至少一种作为蚀刻气体执行第二蚀刻后处理，以修复所述低介电常数材料层中经蚀刻产生的损伤。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第二蚀刻后处理是在410℃的温度下进行的，并且持续30分钟。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一蚀刻后处理、形成所述第二沟槽的至少一部分的步骤和所述第二蚀刻后处理循环进行，直至形成完整的所述第二沟槽为止。
9.根据权利要求1、5或6所述的方法，其中，所述蚀刻后处理是原位进行的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低介电常数材料层的介电常数小于3.0。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟槽是采用金属硬掩膜通过等离子体干法蚀刻而形成的。
12.根据权利要11所述的方法，其中，所述金属硬掩膜是由TiN和BN中的至少一种构成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210162540.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
