[发明专利]一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法有效
| 申请号： | 201210158807.9 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709252A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L29/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 静态 随机 存储器 读出 冗余 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一具有混合取向的衬底，所述衬底包括具有第一表面取向的第一衬底，具有第二表面取向的第二衬底和第三表面取向的第三衬底；
在所述第一衬底上制作一NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中包括一第一沟道，所述第一沟道为具有第一晶向；在所述第二衬底上制作一PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括第二沟道，所述第二沟道具有第二晶向和第三衬底上制作一控制管，所述第三控制管包括一具有第三晶向的第三沟道；
在所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管之间形成第一浅沟槽隔离结构，在所述PMOS晶体管和所述控制管之间制作第二浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，所述控制管为一PMOS器件。
3.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，所述第一衬底的第一表面取向是(100)平面，所述第一晶向是<110>晶向。
4.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，所述第二衬底的第二表面取向是（110）平面，所述第二晶向是<110>晶向。
5.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，所述第三衬底的第三表面取向是（110）平面，所述第三晶向是<110>晶向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
