[发明专利]具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管无效
| 申请号： | 201210155106.X | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102664226A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;林志伟;蔡建九;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 调制 掺杂 电流 扩展 发光二极管 | ||
1.一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，其特征在于：沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1 ≤ X ≤ 50。
2.根据权利要求1所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm。
3.根据权利要求1或2所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的第二电极为P极时，所述的Delta掺杂层由Be、Mg、Zn、Cd、C中的一种或几种P型掺杂源构成。
4.根据权利要求3所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的Delta掺杂层中的P型掺杂源的浓度≥1020cm-3。
5.根据权利要求3所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的第二型电流扩展层由AlAs、GaAs、AlGaAs、AlInP、GaInP、AlGaInP、GaP的其中一种或几种基材再加上Be、Mg、Zn、Cd、C中的一种或几种P型掺杂源均匀混合构成。
6.根据权利要求5所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第二型电流扩展层中的P型掺杂源在基材中的掺杂浓度为1016~1019 cm-3 。
7.根据权利要求1或2所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的第二电极为N极时，所述的Delta掺杂层由Si、Sn、S、Se、Te中的一种或几种N型掺杂源构成。
8.根据权利要求7所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的Delta掺杂层中的N型掺杂源的浓度≥1020cm-3。
9.根据权利要求7所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述的第二型电流扩展层由AlAs、GaAs、AlGaAs、AlInP、GaInP、AlGaInP、GaP的其中一种或几种基材再加上Si、Sn、S、Se、Te中的一种或几种N型掺杂源均匀混合构成。
10.根据权利要求9所述的具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第二型电流扩展层中的N型掺杂源在基材中的掺杂浓度为1016~1019 cm-3 。
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