[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。目前商业化的各种透明导电薄膜，如ITO、ZNO、ATO以及超薄金属薄膜等，要在保持透明度和导电性的前提下，提高薄膜的表面功函数，则需要比较复杂的工序，而且效果不是很明显，而且稳定性不高。 

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

一种导电薄膜，包括层叠的ZnO层，金层及MoO₃层。 

在其中一个实施例中，所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。 

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤： 

将ZnO、金和MoO₃及衬底装入蒸镀设备的钼舟中，其中，蒸镀设备的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa； 

在所述衬底表面蒸镀ZnO层，蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为1～50nm/min； 

在所述ZnO层表面蒸镀金层，蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为0.5～20nm/min； 

在所述金层表面蒸镀MoO₃层，蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为1～10nm/min；及 

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 

在其中一个实施例中，所述蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为10nm/min；蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min；蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min。 

一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、ZnO层，金层及MoO₃层。 

在其中一个实施例中，所述所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。 

一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤： 

将ZnO、金和MoO₃及衬底装入蒸镀设备的钼舟中，其中，蒸镀设备的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa；； 

在所述衬底表面蒸镀ZnO层，蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为1～50nm/min； 

在所述ZnO层表面蒸镀金层，蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为0.5～20nm/min； 

在所述金层表面蒸镀MoO₃层，蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为1～10nm/min。 

在其中一个实施例中，所述蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为10nm/min；蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min；蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min。 

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的ZnO层，金层及MoO₃层。 

在其中一个实施例中，所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。 

上述导电薄膜通过在ZnO层的表面沉积金层作为导电层，在金属金层表面沉积高功函的MoO₃层制备导电薄膜，既能保持ZnO层层的良好的导电性能， 透光率又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在300～800nm波长范围可见光透过率82％～93％，方块电阻范围6～30Ω/□，表面功函数5.8～6.1eV；上述导电薄膜的制备方法工艺较为简单；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。 

附图说明

图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；