[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZnO层，金层及MoO₃层。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZnO、金和MoO₃及衬底装入蒸镀设备的钼舟中，其中，蒸镀设备的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa；

在所述衬底表面蒸镀ZnO层，蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为1～50nm/min；

在所述ZnO层表面蒸镀金层，蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为0.5～20nm/min；

在所述金层表面蒸镀MoO₃层，蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为1～10nm/min；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为10nm/min；蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min；蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min。

5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、ZnO层，金层及MoO₃层。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZnO、金和MoO₃及衬底装入蒸镀设备的钼舟中，其中，蒸镀设备的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa；；

在所述衬底表面蒸镀ZnO层，蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为1～50nm/min；

在所述ZnO层表面蒸镀金层，蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为0.5～20nm/min；

在所述金层表面蒸镀MoO₃层，蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为1～10nm/min。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述蒸镀所述ZnO层的工艺参数为：蒸发速率为10nm/min；蒸镀所述金层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min；蒸镀所述MoO₃层的工艺参数为：蒸发速率为3nm/min。

9.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的ZnO层，金层及MoO₃层。

10.根据权利要求9所述有机电子发光器件，其特征在于，所述ZnO层的厚度为30nm～100nm，所述金层的厚度为5nm～50nm，所述MoO₃层的厚度为05nm～5nm。