[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化铟锡(ITO)是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。要在保持透明度和导电性的前提下，提高薄膜的表面功函数，则需要比较复杂的工序，而且效果不是很明显，稳定性不高。 

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

一种导电薄膜，包括层叠的ITO层，银层及WO₃层，其中ITO为氧化铟锡。 

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤： 

将ITO靶材、银和WO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，ITO为氧化铟锡靶材； 

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述ITO层表面溅镀银层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述银层表面溅镀WO₃层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及 

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 

在其中一个实施例中，ITO层的厚度为50nm～150nm，所述银层的厚度为5nm～35nm，所述WO₃层的厚度为0.5nm～5nm。 

在其中一个实施例中，所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体混合均匀，其中SnO₂的质量百分数为3％～20％，余量为In₂O₃，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。 

在其中一个实施例中，所述ITO层的厚度为80nm，所述银层的厚度为25nm，所述WO₃层的厚度为2nm。 

一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、ITO层，银层及WO₃层，其中，所述ITO为氧化铟锡。 

一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤： 

将ITO靶材、银和WO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，ITO为氧化铟锡靶材； 

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述ITO层表面溅镀银层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述银层表面溅镀WO₃层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。