[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ITO层，银层及WO₃层，其中ITO为氧化铟锡。

2.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ITO靶材、银和WO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，ITO为氧化铟锡靶材；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀银层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述银层表面溅镀WO₃层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO层的厚度为50nm～150nm，所述银层的厚度为5nm～35nm，所述WO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体混合均匀，其中SnO₂的质量百分数为3％～20％，余量为In₂O₃，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO层的厚度为80nm，所述银层的厚度为25nm，所述WO₃层的厚度为2nm。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、ITO层，银层及WO₃层，其中，所述ITO为氧化铟锡。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ITO靶材、银和WO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，ITO为氧化铟锡靶材；

在所述衬底表面溅镀ITO层，溅镀所述ITO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ITO层表面溅镀银层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述银层表面溅镀WO₃层，溅镀所述银层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步骤得到：将SnO₂和In₂O₃粉体混合均匀，其中SnO₂的质量百分数为3％～20％，余量为In₂O₃，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。