[发明专利]阵列基板和具有该阵列基板的显示面板

说明书

本申请是于2008年9月5日提交到国家知识产权局的申请号为200810215309.7的发明专利申请“阵列基板和具有该阵列基板的显示面板”的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种阵列基板和一种具有该阵列基板的显示面板。更具体地讲，本发明涉及一种具有提高的开口率和提高的透光率的阵列基板和一种具有该阵列基板的显示面板。

背景技术

为了在液晶显示(LCD)装置中实现宽的视角，已经开发了板内切换(IPS)模式LCD装置和边缘场切换(FFS)模式LCD装置。在IPS模式LCD装置中，像素电极和共电极形成在单个基板上，使得形成在这两个电极之间的水平电场(或横向电场)可以控制液晶指向矢。在IPS模式LCD装置中，液晶分子在与基板的取向层基本平行的平面内旋转。因此，当观众观看时，折射指数各向异性的差别小，当从剖视图来看时，液晶层包含具有彼此相反的两个旋转方向的液晶分子，这就补偿了光的相差，从而实现宽的视角。

FFS模式LCD装置使用横向电场，在利用横向电场来使液晶分子取向的方式方面，FFS模式LCD装置与IPS模式LCD基本相同。然而，在FFS模式LCD装置中，像素电极和共电极形成在不同的层上，从而FFS模式LCD装置既利用水平电场又利用垂直电场来使液晶分子取向。

FFS模式LCD装置利用垂直电场来使液晶分子取向，使得FFS模式LCD装置的透光率优于IPS模式LCD装置的透光率。此外，FFS模式LCD装置的液晶分子沿基本水平的方向移动，从而FFS模式LCD装置的视角与IPS模式LCD装置的视角基本相同。此外，FFS模式LCD装置的开口率优于IPS模式LCD装置的开口率。

发明内容

本发明提供一种具有提高的开口率和提高的透光率的阵列基板。

本发明还提供一种具有上述阵列基板的显示面板。

在本发明的一方面，阵列基板包括栅极线、数据线、多个共电极、屏蔽电极和像素电极。栅极线在基础基板上沿第一方向延伸。数据线沿与第一方向交叉的第二方向延伸。共电极形成在基础基板的多个像素区域中。共电极彼此分开。屏蔽电极形成在数据线下方，并形成在彼此相邻的像素区域中形成的共电极之间。屏蔽电极接收与施加到共电极的电压相同的电压。像素电极与共电极叠置。像素电极具有多个形成在其上的开口。

在本发明的另一方面，显示面板包括阵列基板和相对基板。阵列基板包括栅极线、数据线、多个共电极、屏蔽电极和像素电极。栅极线在基础基板上沿第一方向延伸。数据线沿与第一方向交叉的第二方向延伸。共电极形成在基础基板的多个像素区域中。共电极彼此分开。屏蔽电极形成在数据线下方，并形成在彼此相邻的像素区域中形成的共电极之间。屏蔽电极接收与施加到共电极的电压相同的电压。像素电极与共电极叠置。像素电极具有多个形成在其上的开口。相对基板结合到阵列基板。

根据阵列基板和具有该阵列基板的显示面板，共电极图案的电场可以防止像素电极和数据线之间的耦合，从而可以将像素电极和数据线之间的距离最小化，因此可以提高开口率和透光率。

附图说明

通过参考下面的结合附图考虑时的详细描述，本发明的上面的和其它优点将容易变得明显，其中：

图1是示出根据本发明一个实施例的显示面板的平面图；

图2是沿图1中的I-I′线截取的剖视图；

图3A至图3G是示出制造图2中的阵列基板的方法的剖视图和平面图；

图4是示出根据本发明另一实施例的阵列基板的平面图；

图5是沿图4中的II-II′线截取的剖视图；

图6是示出根据本发明又一实施例的阵列基板的平面图；

图7是沿图6中的III-III′线截取的剖视图；

图8A至图8C是示出根据本发明实施例制造的样品的显示面板的剖视图；

图8D是示出根据传统技术的显示面板的剖视图。

具体实施方式

下文中，参照示出了本发明实施例的附图来更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。