[发明专利]包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造包括电容器和双层金属接触的半导体器件的方法，所述方法包括：

在单元区域和外围区域形成第二层间绝缘层；

形成贯通所述第二层间绝缘层在所述外围区域上的部分的第二接触；

选择性去除所述第二层间绝缘层在所述单元区域上的部分，并保留所述第二层间绝缘层在所述外围区域上的部分；

形成模型层，该模型层覆盖所述单元区域的被去除所述第二层间绝缘层的部分以及所述第二接触；

形成贯通所述模型层在所述单元区域中的部分的存储节点；

选择性去除所述模型层以暴露所述存储节点；

形成覆盖被暴露的所述存储节点的电介质层和板节点；

形成覆盖所述板节点的第三层间绝缘层；以及

形成贯通所述第三层间绝缘层的第三接触，以分别连接到所述板节点和所述第二接触。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述外围区域上形成外围电路的栅极；

形成覆盖所述栅极的第一层间绝缘层；

形成位线，该位线通过所述第一层间绝缘层在所述单元区域上的部分绝缘；

形成存储节点接触，该存储节点接触贯通所述第一层间绝缘层，以分别连接至所述存储节点；以及

在所述第一层间绝缘层的在所述外围区域上的部分形成第一接触，该第一接触将所述第二接触连接至所述栅极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中选择性去除所述第二层间绝缘层在所述单元区域上的部分包括：

在所述第二层间绝缘层上形成用于暴露所述单元区域的掩模图案；以及

选择性蚀刻所述第二层间绝缘层通过所述掩模图案暴露的部分。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述模型层与剩余的所述第二层间绝缘层之间的界面处形成蚀刻停止，该蚀刻停止延伸以覆盖第二外围电路布线层图案，其中当去除所述模型层时所述蚀刻停止保护所述第二层间绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述电介质层和所述板节点包括：

形成用于所述电介质层和所述板节点的层，以延伸到所述蚀刻停止上；以及

选择性蚀刻用于所述板节点和所述电介质层的与所述第二层间绝缘层的剩余部分交叠的部分，从而图案化所述板节点，

其中连接至所述板节点的所述第三接触设置在所述第二层间绝缘部分的剩余部分上。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述模型层上形成支撑所述存储节点的支撑层。

7.一种制造包括电容器和双层金属接触的半导体器件的方法，所述方法包括：

在包括单元区域和外围区域的半导体基板的外围区域上形成外围电路的外围晶体管的栅极；

形成覆盖所述栅极的第一层间绝缘层；

形成第一接触和第一外围电路布线层图案，该第一接触和该第一外围电路布线层图案与所述栅极连接从而构成所述外围电路；

形成覆盖所述第一外围电路布线层图案的第二层间绝缘层；

形成第二接触和第二外围电路布线层图案，该第二接触和该第二外围电路布线层图案贯通所述第二层间绝缘层从而构成所述外围电路；

选择性去除所述第二层间绝缘层在所述单元区域上的部分而保留所述第二层间绝缘层在所述外围区域上的部分；

形成模型层，该模型层覆盖所述半导体基板的被去除部分所述第二层间绝缘层的部分以及所述第二外围电路布线层图案；

形成贯通所述模型层在所述单元区域中的部分的存储节点；

选择去除所述模型层以暴露所述存储节点；

形成覆盖被暴露的所述存储节点的电介质层和板节点；

形成覆盖所述板节点的第三层间绝缘层；以及

形成贯通所述第三层间绝缘层的第三接触，以使该第三接触分别连接至所述板节点和所述第二外围电路布线层图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述外围电路包括传感放大器，该传感放大器传感存储在存储节点中的数据。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

形成位线，该位线通过所述第一层间绝缘层在所述单元区域上的部分而绝缘；以及

形成存储节点接触，该存储节点接触贯通所述第一层间绝缘层以分别连接至所述存储节点。