[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法无效
申请号: | 201210138537.5 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN103137649A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 朴顺龙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本实施方式涉及有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法,更具体地涉及具有增强的发光效率和可见度的有机发光显示装置,及制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置是通过使用有机发光二极管显示图像的自发光显示装置。与液晶显示装置不同,有机发光二极管显示装置不需要独立光源,因此可具有更小的厚度和重量。这种有机发光二极管显示装置呈现出优异的特性,如低能耗、高亮度、高响应速度等,并作为便携式电子设备的下一代显示装置正引人关注。
通常,有机发光二极管包括空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极。有机发光二极管通过使用在激子回到基态时产生的能量来发光,所述激子是通过空穴注入电极中的空穴与电子注入电极中的电子在有机发光层中重新结合而形成的。
发明内容
根据一个实施方式,提供了一种有机发光显示装置,包括:基板;所述基板上的第一电极;所述第一电极上的有机层,所述有机层包括发光层;位于所述有机层的与所述第一电极相反一面上的第二电极;所述第二电极上的保护层;与所述保护层分开的视窗元件,以使得所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述保护层位于所述视窗元件与所述基板之间;和位于所述保护层与所述视窗元件之间的珠涂层。所述珠涂层可位于所述保护层的朝向所述视窗元件的表面上,与所述视窗元件具有距离。所述珠涂层可位于所述视窗元件的朝向所述保护层的表面上,与所述保护层具有距离。所述视窗元件可以是玻璃。所述视窗元件和所述基板可被封料密封。
所述珠涂层可包含分散在有机基质中的珠粒。基于所述珠涂层的总重量,所述珠粒的含量可以在50至80wt%的范围内。基于所述珠涂层的总重量,所述基质的含量可以在20至50wt%的范围内。所述珠涂层的厚度可以在10μm至30μm的范围内。所述珠粒的平均直径可在100nm至5μm的范围内。所述珠粒可选自二氧化硅类颗粒、锆类颗粒和锆氧化物颗粒。
根据一个实施方式,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在基板上形成第一电极,在所述第一电极上形成包括发光层的有机层,在所述有机层上形成第二电极,在所述第二电极上形成保护层,在所述保护层顶面上形成珠涂层,和提供视窗元件,使得所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述保护层位于基板和视窗元件之间。
根据一个实施方式,提供了一种制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括:在基板上形成第一电极;在所述第一电极上形成包括发光层的有机层;在所述有机层上形成第二电极;在所述第二电极上形成保护层;在视窗元件的表面上形成珠涂层;并布置所述视窗元件,使得所述第一电极、所述有机层、所述第二电极和所述保护层位于所述视窗元件和所述基板之间且视窗元件形成有所述珠涂层的表面朝向所述保护层;以及密封所述视窗元件。
在上述方法中,所述视窗元件可以是玻璃。可使用沿视窗元件的边缘形成的封料将视窗元件和基板彼此密封。所述珠涂层可包含分散在有机基质中的珠粒。基于珠涂层的总重量,珠粒的含量可在50至80wt%的范围内。基于珠涂层的总重量,基质的含量可在20至50wt%的范围内。珠涂层的厚度可在10μm至30μm的范围内。可通过涂布并硬化含有珠粒的聚合物浆来形成珠涂层。含有所述珠粒的所述聚合物浆可包含光固化聚合物和珠粒。光固化聚合物可以是丙烯酸类聚合物树脂。珠粒的平均直径可在100nm至5μm的范围内。珠粒选自二氧化硅类颗粒、锆类颗粒和锆氧化物颗粒。
附图说明
通过以下结合附图的详细说明可使得各特征更为明显,其中:
图1为示出根据一个实施方式的有机发光显示装置的截面示意图;
图2为示出根据另一个实施方式中的有机发光显示装置的截面示意图;
图3A至3C为表示光发射随着保护层与珠涂层间的距离的变化而变化的图像。
图4为表示在珠涂层存在下的光路变化的图;
图5为表示光提取效率随着珠涂层中珠粒含量变化而变化的图;和
图6为表示色差概率随着珠涂层中珠粒含量变化而变化的图。
具体实施方式
本申请要求于2011年12月1日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2011-0127394号的名为“有机发光显示装置及其制造方法”的权益,其公开通过引用整体合并于此。
以下将参照附图详细描述各实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的