[发明专利]一种高效率异质结单晶硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜，其特徵为为先在清洗制绒后的N型单晶硅的背面利用等离子增强式化学气相沉积设备依序沉积I型氢化非晶硅薄膜与N型氢化非晶硅薄膜，接下来将整个硅片翻面，于正面依序沈积I型氢化非晶硅薄膜与P型氢化非晶硅薄膜，接着再利用磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备，先在P型非晶硅薄膜上沈积透明导电膜，接着于N型非晶硅薄膜上沈积透明导电膜，最后利用网版印刷于正背面将银导线布上，则完成此高效率异质结单晶硅薄膜太阳电池。

2.根据权利要求1所述的N型单晶硅，其特徵为CZ或FZ法制作的N型单晶硅 ，硅片厚度约100~200微米，晶相为<100>，少数载子寿命为大於100微秒，电阻率为0.5~3.0 Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的氢化I型非晶硅薄膜(I a-Si:H)、氢化P型非晶硅薄膜 (P a-Si:H)、与氢化N型非晶硅薄膜(N a-Si:H)，其特徵为透过通入硅烷、氢气、磷烷、硼烷于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量比、等离子输出功率、压力、电极间距等工艺技术来制备。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特徵为氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜或氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜或铟锡氧化物(ITO)透明导电膜，于磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备中藉由通入氩气、氧气和氢气产生等离子来制备。

5.根据权利要求1所述的银导线，其特徵为透过网版印刷设备，将银导线布于正反面的透明导电膜上，以形成太阳电池的正负极接线。