[发明专利]一种LED芯片及其相应的制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底的表面上形成外延层，所述外延层由下至上依次沉积包含有N型层、发光层和P型层；

刻蚀P型层、发光层，形成由上至下贯穿P型层、发光层、直到N型层的台阶；

沉积绝缘材料覆盖所述台阶侧面、所述N型层和所述P型层，通过刻蚀P型层表面的绝缘材料形成银迁移阻挡层和窗口，每个窗口底部暴露出P型层；

在所述每个窗口形成金属功能层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：形成金属功能层之后，包括如下步骤：

在所述台阶上的银迁移阻挡层中刻蚀出N电极凹槽，并在所述N电极凹槽中形成N电极；

在所述银迁移阻挡层、金属功能层和N电极的表面形成第一键合层；

提供一基板，在所述基板的一面形成第二键合层，并在所述第二键合层中刻蚀出一开口；

所述开口对应于银迁移阻挡层与紧邻的N电极之间，将第一键合层与第二键合层进行键合，制成LED芯片。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属功能层为包含有依次形成于P型层上的P型接触层、反射镜层或P型接触层、反射镜层和防扩散层。

4.根据权利要求3中任一项所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：采用化学气相沉积、蒸发或者溅射形成所述银迁移阻挡层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层使用的材料为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述绝缘材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛中的一种或组合。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的厚度为100nm-10000nm。

8.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射镜层的厚度为50nm-500nm。

9.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸为200μm-20mm。

11.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

12.根据权利要求11所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸为200μm-20mm。

13.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸，其内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

14.根据权利要求13所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸和内框尺寸差为5μm-200μm。

15.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层外框和内框形状为正方形、长方形、圆形、或多边形中的一种或组合。

16.一种LED芯片，其特征在于，至少包括：

外延层，所述外延层包括N型层、位于所述N型层上的发光层、及位于所述发光层上的P型层；

金属功能层，所述金属功能层位于所述P型层上；

银迁移阻挡层，所述银迁移阻挡层位于所述P型层上，且位于所述金属功能层外围。

17.根据权利要求16所述的LED芯片，其特征在于：所述金属功能层包含有依次形成于P型层表面的P型接触层、反射镜层或P型接触层、反射镜层和防扩散层。

18.根据权利要求16或17中任一项所述的LED芯片，其特征在于：紧邻所述银迁移阻挡层的一侧形成有贯穿P型层、发光层的台阶，该侧的银迁移阻挡层延伸覆盖所述台阶的表面形成为钝化膜；所述台阶表面上的银迁移阻挡层中形成有N电极凹槽，位于所述N电极凹槽中形成有N电极；位于金属功能层表面、银迁移阻挡层和N电极的表面依次形成有第一键合层和第二键合层，位于第二键合层表面形成有基板。