[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种高亮度发光二极管，其特征在于蓝宝石基板的磊晶面与背面均经微米图形化处理，并且图形化的背面镀有金属氧化反射层及金属反射散热层。

2.权利要求1所述的二极管，其特征在于蓝宝石基板的背面图形为圆弧图形。

3.权利要求1所述的二极管，其特征在于所述的金属氧化反射层有7层或7层以上膜层组成。

4.权利要求3所述的二极管，其特征在于所述7层膜层中最外一层为Al2O3层。

5.权利要求3所述的二极管，其特征在于所述7层膜层从里到外分别为：SiO2层、Ti3O5层、SiO2层、Ti3O5层、SiO2层、Ti3O5层、Al2O3层。

6.权利要求3所述的二极管，其特征在于所述7层膜层从里到外各层厚度分别为：SiO2层500-700 nm、Ti3O5层50-150 nm、SiO2层50-150 nm、Ti3O5层50-100 nm、SiO2层50-100 nm、Ti3O5层40-80 nm、Al2O3层50-100 nm。

7.权利要求1所述的二极管，其特征在于所述的金属反射散热层因蓝宝石基板的背面经微米图形化处理，使镀在其上的金属散热层与金属氧化反射层的热接触传导面积是蓝宝石基板的背面未经图形化处理的热接触传导面积2倍左右。

8.权利要求1-7所述的二极管的制备工艺，如下：

准备蓝宝石基板，对蓝宝石基板待磊晶面进行微米图形化处理；

对图形化后的蓝宝石基板进行磊晶；

对磊晶完的芯片的蓝宝石基板进行研磨、抛光；

对进行研磨、抛光后的芯片沈积二氧化硅、磊晶面进行三分之一深度的激光切割、蓝宝石基板进行定义圆弧镜面图形，进行蚀刻；

对图形化后的基板进行第二次研磨抛光；

对磊晶面制备电流扩散层、沉积二氧化硅层、蚀刻出N极，制备P极及N极；

对图形化的蓝宝石基板镀金属氧化反射层；

在金属氧化反射层外度金属散热层；

芯片测试、劈裂成芯粒、分选。

9.权利要求8所述的二极管的制备工艺，其特征在于C中抛光包括：第一道，以粒径5um的钻石抛光液进行抛光处理、第二道，以粒径1um的钻石抛光液进行抛光处理，通过粒径1um的氧化铝抛光液进行细抛光，经过上述精密抛光，再对基板用粒径50nm二氧化硅抛光液进行最后抛光，对表面刮痕进行微型化处理。

10.权利要求8所述的二极管的制备工艺，其特征在于D中芯片沉积完二氧化硅后，对磊晶面进行激光切割，而后进行蚀刻。

11.权利要求8所述的二极管的制备工艺，其特征在于D中所述的蚀刻，先对定义图形的蓝宝石基板进行干法蚀刻，再对整个芯片以加热的高浓度硫酸与磷酸混合液进行湿式蚀刻，得到数组式圆镜状的基板图形，同时去除激光切割走道侧壁造成的碳化物。

12.权利要求8所述的二极管的制备工艺，其特征在于G中金属氧化反射层为7层，分别为SiO2层500-700 nm、Ti3O5层50-150 nm、SiO2层50-150 nm、Ti3O5层50-100 nm、SiO2层50-100 nm、Ti3O5层40-80 nm、Al2O3层50-100 nm。