[发明专利]蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法

权利要求书

1.一种蚀刻装置，包括：

处理室，其包括蚀刻剂；

配置成提供所述蚀刻剂的层流的结构；以及

工件操作器，其被配置成沿着预定义轨道保持和移动工件经过所述蚀刻剂的层流，其中所述工件操作器被配置以保持所述工件以便所述工件被配置成完全浸入所述蚀刻剂；

以便所述工件的待蚀刻的一侧被配置成基本上垂直于所述蚀刻剂的层流；并且

其中在与工件的待蚀刻的一侧相对的该工件的一侧上创建蚀刻剂的湍流。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述预定义轨道形成环的至少一部分；以及

其中所述环的中心位于所述工件外面。

3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述处理室包括配置成容纳所述蚀刻剂的处理槽。

4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置被配置成生成通过所述处理槽的所述蚀刻剂的流动。

5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻剂的层流被配置成蚀刻所述工件的一侧。

6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置被配置成使得，向所述工件的待蚀刻的一侧的所述蚀刻剂的层流的速度大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向所述工件的待蚀刻的一侧的所述蚀刻剂的流动的速度。

7.根据权利要求4所述的蚀刻装置，还包括：至少一个泵，其被连接到所述处理室以提供通过所述处理槽的所述蚀刻剂的流动。

8.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述结构包括多个通道，所述多个通道引导所述蚀刻剂以由此提供所述层流。

9.根据权利要求8所述的蚀刻装置，其中，所述通道由管阵列形成，所述管阵列以预定义方式被布置以提供所述层流。

10.根据权利要求8所述的蚀刻装置，其中，所述结构包括板，所述板包括多个通孔以作为所述多个通道。

11.根据权利要求10所述的蚀刻装置，其中，所述板的大小是所述工件的至少两倍。

12.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件操作器被配置成移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流而没有所述工件相对于所述工件操作器的固有运动。

13.根据权利要求12所述的蚀刻装置，其中，所述工件操作器被配置成移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流而没有所述工件相对于所述工件操作器的固有旋转。

14.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件的待蚀刻的一侧被配置成相对于所述蚀刻剂的层流的方向处于固定角度。

15.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件是晶片。

16.根据权利要求15所述的蚀刻装置，其中，所述晶片是半导体晶片。

17.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件是太阳能电池。

18.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件是印刷电路板。

19.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件包括待蚀刻的结构。

20.根据权利要求19所述的蚀刻装置，其中，所述待蚀刻的结构包括能够使用扩散受控的蚀刻工艺、使用所述蚀刻剂蚀刻的材料。

21.根据权利要求20所述的蚀刻装置，其中，所述待蚀刻的结构包括从包括下述的组中选择的材料：铜、硅和铝。

22.根据权利要求21所述的蚀刻装置，其中，所述硅包括多晶硅。

23.一种用于蚀刻工件的材料的方法，所述方法包括：

将蚀刻剂的层流提供到工件的待蚀刻的一侧上；以及

沿着预定义轨道保持和移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流；

其中还包括：

保持工件使得所述工件完全浸入所述蚀刻剂；

使得所述工件的待蚀刻的一侧基本上垂直于所述蚀刻剂的层流；并且

其中在与工件的待蚀刻的一侧相对的该工件的一侧上创建蚀刻剂的湍流。