[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制造方法。

背景技术

簿膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，其尺寸和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流，目前世界上最大的液晶电视已经超过100英寸。随着TFT-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，通常采用更高频率的驱动电路。

随着液晶显示器尺寸不断的增大、以及驱动电路的频率不断的提高，现有的非晶硅薄膜晶体管载流子迁移率已很难满足需求：非晶硅薄晶体管的迁移率一般在0.5cm²/VS左右，当液晶显示器面板尺寸超过80英寸，驱动频率为120Hz时需要1cm²/VS以上的迁移率，现在非晶硅的迁移率显然难以满足。虽然多晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率，但由于其均一性差，制作工艺复杂等原因，因此较少采用。

与此同时，金属氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、良好均一性、透明性和制造工艺简单等优点，能够满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的电学性能及工艺制造等要求，受到人们关注，成为大尺寸、高刷新频率LCD及有机发光二极管(OLED)面板研究中的一个焦点。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的是提供一种显示装置、阵列基板及其制造方法，能够简化金属氧化物薄膜晶体管的制造过程，提高生产效率并降低制造成本。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供方案如下：

一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层；

在形成有所述栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层的基板上，形成金属氧化物半导体层，以及在所述金属氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶层，并通过一次半色调或灰色调掩膜板曝光及显影处理，形成所述第一光刻胶层的完全保留区域、未保留区域以及部分保留区域；

刻蚀去除所述第一光刻胶层的未保留区域的刻蚀阻挡层和半导体层，以形成半导体层图案，以及，通过一次光刻胶灰化工艺，去除所述第一光刻胶层的部分保留区域的光刻胶以暴露刻蚀阻挡层，进而刻蚀所暴露的刻蚀阻挡层以形成半导体层与源、漏电极的接触区；

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案。

优选地，上述方法中，

所述继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案，包括：

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，形成透明像素金属层，以及在所述透明像素金属层上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第二光刻胶层，并通过一次半色调或灰色调掩膜板曝光及显影处理，形成所述第二光刻胶层的完全保留区域、未保留区域以及部分保留区域；

刻蚀去除所述第二光刻胶层的未保留区域的源漏金属层和透明像素金属层，以形成像素电极的图案；

通过一次光刻胶灰化工艺，去除所述第二光刻胶层的部分保留区域的光刻胶以暴露源漏金属层，进而刻蚀所暴露的源漏金属层，以形成包括源电极、漏电极和数据线的图案。

优选地，上述方法中，

所述继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案，包括：

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，形成源漏金属层；

通过光刻工艺对所述源漏金属层进行处理，形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；

在形成有所述数据线、源电极和漏电极的图形的基板上，沉积形成钝化层，并通过光刻工艺形成钝化层图形，所述钝化层图形中包括有过孔；

在形成有所述钝化层图形的基板上，沉积形成透明像素金属层，并通过光刻工艺形成像素电极的图形，所述像素电极位于栅极线和数据线限定的像素区域内，且通过所述过孔与源电极连接。

优选地，上述方法中，所述在基板上形成栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层包括：

在基板上形成栅金属层，并通过一次光刻工艺形成包括栅电极和栅极线的图案；

在经过所述光刻工艺处理的基板上形成栅绝缘层。

优选地，上述方法中，所述接触区为贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔。