[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层；

在形成有所述栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层的基板上，形成金属氧化物半导体层，以及在所述金属氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶层，并通过一次半色调或灰色调掩膜板曝光及显影处理，形成所述第一光刻胶层的完全保留区域、未保留区域以及部分保留区域；

刻蚀去除所述第一光刻胶层的未保留区域的刻蚀阻挡层和半导体层，以形成半导体层图案，以及，通过一次光刻胶灰化工艺，去除所述第一光刻胶层的部分保留区域的光刻胶以暴露刻蚀阻挡层，进而刻蚀所暴露的刻蚀阻挡层以形成半导体层与源、漏电极的接触区；

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案，包括：

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，形成透明像素金属层，以及在所述透明像素金属层上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第二光刻胶层，并通过一次半色调或灰色调掩膜板曝光及显影处理，形成所述第二光刻胶层的完全保留区域、未保留区域以及部分保留区域；

刻蚀去除所述第二光刻胶层的未保留区域的源漏金属层和透明像素金属层，以形成像素电极的图案；

通过一次光刻胶灰化工艺，去除所述第二光刻胶层的部分保留区域的光刻胶以暴露源漏金属层，进而刻蚀所暴露的源漏金属层，以形成包括源电极、漏电极和数据线的图案。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案，包括：

在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上，形成源漏金属层；

通过光刻工艺对所述源漏金属层进行处理，形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；

在形成有所述数据线、源电极和漏电极的图形的基板上，沉积形成钝化层，并通过光刻工艺形成钝化层图形，所述钝化层图形中包括有过孔；

在形成有所述钝化层图形的基板上，沉积形成透明像素金属层，并通过光刻工艺形成像素电极的图形，所述像素电极位于栅极线和数据线限定的像素区域内，且通过所述过孔与源电极连接。

4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，

所述在基板上形成栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层包括：

在基板上形成栅金属层，并通过一次光刻工艺形成包括栅电极和栅极线的图案；

在经过所述光刻工艺处理的基板上形成栅绝缘层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述接触区为贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层采用以下材料中的一种或两种以上：IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb和Cd-Sn-O。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为Al₂O₃、硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氧氮化合物；所述刻蚀阻挡层为一层或多层结构。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据如权利要求1至7任一项所述的方法制备，该阵列基板包括：

基板；

形成在所述基板上的栅电极和栅极线；

形成在所述栅极线和栅电极上并覆盖整个基板的栅绝缘层；

位于所述栅电极上方、且形成在所述栅绝缘层上的金属氧化物半导体层；

形成在所述金属氧化物半导体层上的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层中形成有源、漏电极与半导体层的过孔；

在所述刻蚀阻挡层的上方形成有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极各自通过对应的所述过孔，与所述半导体层形成电性连接。