[发明专利]用于防止光攻击的保护电路的半导体器件以及运行方法

权利要求书

1.具有半导体衬底（20）的半导体器件（100），其中在半导体衬底（20）中构造具有沟槽接线端子（5）的经掺杂的沟槽（10）和具有至少一个电势接线端子（35）的晶体管结构（30），其中晶体管结构（30）具有寄生晶闸管（40），所述寄生晶闸管部分布置在经掺杂的沟槽（10）中，其中电势接线端子（35）和沟槽接线端子（5）通过电阻（R）连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件（100），其中电阻（R）被构造为使得光攻击使寄生晶闸管（40）导通。

3.根据权利要求1或2之一所述的半导体器件（100），其中电阻（R）布置在经掺杂的沟槽（10）之外和/或半导体衬底（20）之外。

4.根据权利要求3所述的半导体器件（100），其中电阻（R）是多晶硅电阻或者金属电阻。

5.根据权利要求1至2之一所述的半导体器件（100），其中电阻（R）被构造在半导体衬底（20）中、经掺杂的沟槽中和/或扩散区域中。

6.根据权利要求1至5之一所述的半导体器件（100），其中电阻（R_E）是可调电阻（R_E），并且半导体器件（100）被设置为使得能够通过调整电阻（R_E）来调整寄生晶闸管（40）对于光攻击的灵敏度。

7.根据权利要求1至6之一所述的半导体器件（100），其中电阻（R）是可控电阻，其中半导体器件（100）被构造为使得能够根据在半导体器件（100）中所测量的物理参量来控制电阻（R）。

8.根据权利要求7所述的半导体器件（100），还具有温度传感器，其中半导体器件（100）被构造为使得能够根据由所述温度传感器所测量的温度来控制电阻（R）。

9.根据权利要求1至8之一所述的半导体器件（100），其中半导体器件（100）是CMOS半导体器件。

10.根据权利要求1至9之一所述的半导体器件（100），其中半导体器件（100）具有多个晶体管结构，这些晶体管结构分别具有寄生晶闸管（40）。

11.根据权利要求10所述的半导体器件（100），其中电阻（R）与多个晶体管结构（30）的电势接线端子（35）连接。

12.根据权利要求1至11之一所述的半导体器件（100），其中经掺杂的沟槽（10）是n沟槽并且施加在电势接线端子（35）处的电势是正供电电压（V_DD）。

13.根据权利要求1至12之一所述的半导体器件（100），其中半导体器件（100）具有逻辑电路并且晶体管结构（30）是所述逻辑电路的一部分。

14.根据权利要求1至13之一所述的半导体器件（100），还具有限流电路，其中所述限流电路能够被设置为使得在寄生晶闸管（40）触发的情况下，半导体器件（100）不受损害。

15.根据权利要求1至14之一所述的半导体器件（100），还具有报警电路，其中所述报警电路被设置为使得在寄生晶闸管（40）触发的情况下至少暂时地阻塞半导体器件（100）的功能。

16.用于在具有半导体衬底（20）的半导体器件（100）中防止光攻击的保护电路的运行方法，所述半导体衬底（20）具有经掺杂的沟槽（10），所述沟槽（10）具有沟槽接线端子（5）和至少部分布置在所述沟槽（10）中的晶体管结构（30），所述晶体管结构（30）具有至少一个电势接线端子（35）并且具有寄生晶闸管（40），其中电势接线端子（35）和沟槽接线端子（5）通过电阻（R）连接，并且其中寄生晶闸管（40）在施加光的情况下导通并且妨碍半导体器件（100）的功能。