[发明专利]发光二极管晶粒及使用该晶粒的发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，包括基板和磊晶层，所述磊晶层包括依次设置在基板上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于：所述发光二极管晶粒还包括电极及容置部，所述电极包括第一电极、第二电极及共用电极，所述第一电极和第二电极与第二半导体层电连接，所述容置部形成于所述磊晶层出光面的中间位置并贯通所述第二半导体层和有源层，所述共用电极设置在所述容置部内并位于所述第一半导体层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极和第二电极为P型电极，所述共用电极为N型电极。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：还包括设于第二半导体层上的透明导电层，所述第一电极和第二电极分别设置在所述透明导电层的两侧。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述发光二极管晶粒还包括一通槽，所述通槽将磊晶层分隔成两个独立的发光部分。

5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述容置部为顶面设有开口的圆柱形凹槽。

6.如权利要求5所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述通槽包括自所述容置部向所述第一半导体层延伸并贯通所述第一半导体层的第一通槽及由所述第一通槽两端分别向外延伸形成的第二通槽和第三通槽，所述第二通槽和第三通槽均贯通磊晶层直至基板的上表面并沿所述容置部的径向向外延伸至发光二极管晶粒外表面。

7.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述容置部为长条形的凹槽，所述容置部将有源层和第二半导体层分隔成不相连的两部分。

8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述通槽为长条形凹槽，所述通槽自所述容置部底部向所述第一半导体层延伸并贯通所述第一半导体层，所述通槽的两端分别向外延伸至发光二极管晶粒的外表面。

9.如权利要求6或8所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述共用电极包括一第三电极和一第四电极，所述第三电极和第四电极分别设置在所述容置部内并位于所述通槽两侧的第一半导体层上。

10.一种发光二极管封装结构，包括如权利要求1至9任意一项所述的发光二极管晶粒及环绕覆盖所述发光二极管晶粒上的透镜。