[发明专利]实现单鳍鳍式场效应晶体管器件的芯更改

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

提供主掩模布局和齐整掩模布局以形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍状件，其中所述主掩模布局包括第一掩蔽部件，所述齐整掩模布局包括限定了至少二个鳍状件的第二掩蔽部件，所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件具有空间关系；以及

基于所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件的所述空间关系更改所述主掩模布局，其中更改所述主掩模布局包括更改所述第一掩蔽部件使得用所更改的主掩模布局和所述齐整掩模布局形成单鳍FinFET器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一掩蔽部件限定了第一芯部件和第二芯部件，其中所述第一芯部件与所述第二芯部件相隔一距离；以及

所述第二掩蔽部件的宽度大于所述第一芯部件和所述第二芯部件之间的所述距离，使得所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件的所述空间关系包括所述第二掩蔽部件覆盖所述第一芯部件的一部分和所述第二芯部件的一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中更改所述第一掩蔽部件包括去除所述第一芯部件的所述一部分和所述第二芯部件的所述一部分中的一个。

4.根据权利要求3所述的方法，其中更改所述第一掩蔽部件还包括将补充的芯部件加入到所述第一芯部件的所述一部分和所述第二芯部件的所述一部分中的另一个中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述补充的芯部件的长度大于所述第二掩蔽部件的长度。

6.一种方法，所述方法包括：

提供齐整掩模部件，所述齐整掩模部件具有长度L_TRIM和宽度W_TRIM，所述长度L_TRIM限定了鳍状件的长度L_FIN，所述宽度W_TRIM等于大约2(D_FIN+W_FIN)，其中D_FIN是相邻二个鳍状件之间的距离及W_FIN是鳍状件的宽度；

基于芯掩模部件和所述齐整掩模部件之间的空间关系更改所述芯掩模部件；以及

使用所更改的芯掩模部件和所述齐整掩模部件形成单鳍鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述芯掩模部件包括第一掩模部件和第二掩模部件；

所述芯掩模部件和所述齐整掩模部件之间的所述空间关系包括所述齐整掩模部件覆盖所述第一芯部件的一部分和所述第二芯部件的一部分，并且所述第一芯部件的所述一部分和所述第二芯部件的所述一部分之间具有一距离，所述距离等于大约D_FIN+2W_FIN；以及

基于所述芯掩模部件和所述齐整掩模部件之间的所述空间关系更改所述芯掩模部件包括去除所述第一芯部件的所述一部分和所述第二芯部件的所述一部分中的一个。

8.根据权利要求7所述的方法，其中基于所述芯掩模部件和所述齐整掩模部件的所述空间关系更改所述芯掩模部件还包括将补充的芯部件加入到所述第一芯部件的所述一部分和所述第二芯部件的所述一部分中的另一个中。

9.一种方法，所述方法包括：

基于芯掩模部件和限定至少二个鳍状件的齐整掩模部件的空间关系更改所述芯掩模部件；以及

使用所更改的芯掩模部件和所述限定至少二个鳍状件的齐整掩模部件来形成单鳍鳍式场效应晶体管(FinFET)的鳍状件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述芯掩模部件限定了第一芯和第二芯；以及

更改所述芯掩模部件包括以下之一：

去除所述第一芯的一部分和所述第二芯的一部分中的一个，以及

将所述第一芯的一部分和所述第二芯的一部分合并。