[发明专利]基板输送方法、基板输送装置和涂敷显影装置有效
| 申请号: | 201210105298.3 | 申请日: | 2012-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN102738049A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 林德太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输送 方法 装置 显影 | ||
1.一种基板输送方法,其为基板装置的基板输送方法,所述基板处理装置包括:具有通过真空吸附保持基板的保持部的、对所保持的基板进行输送的基板输送装置;和载置由该基板输送装置输送的所述基板的多个载置部,所述基板输送方法的特征在于,包括:
通过所述保持部接收所述多个载置部中的一个载置部的所述基板,并通过真空吸附对所述基板进行保持的步骤;
所述保持部以保持有所述基板的状态从所述一个载置部退出的步骤;
对保持于所述保持部的所述基板的相对于所述保持部的位置进行检测的第一位置检测步骤;
将保持于所述保持部的所述基板输送至与其它的载置部面对的位置的步骤;
在所述面对的位置,对被保持于所述保持部的所述基板的相对于所述保持部的位置进行检测的第二位置检测步骤;
根据在所述第一位置检测步骤和所述第二位置检测步骤所获得的被保持于所述保持部的所述基板的相对于所述保持部的位置,对在所述输送的步骤中产生的、所述基板的相对于所述保持部的位置偏移进行计算的步骤;和
判定在所述计算的步骤中计算出的所述位置偏移是否进入规定的范围的步骤。
2.如权利要求1所述的基板输送方法,其特征在于,还包括:
在所述判定的步骤中被判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的情况下,发出表示该判定结果的警报的步骤。
3.如权利要求1所述的基板输送方法,其特征在于,还包括:
对在所述判定的步骤中被判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的次数进行记录的步骤;
对所记录的所述次数是否超过规定的次数进行判定的步骤;和
在所述判定的步骤中被判定为超过所述规定的次数的情况下,输出表示超过所述规定的次数的警报信号的步骤。
4.如权利要求1所述的基板输送方法,其特征在于,还包括:
对在所述判定的步骤中被判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的次数进行记录的步骤;
对所记录的所述次数是否超过规定的次数进行判定的步骤;和
在所述判定的步骤中被判定为超过所述规定的次数的情况下,输出使所述基板输送装置的输送速度降低的指示信号的步骤。
5.如权利要求1所述的基板输送方法,其特征在于,包括:
对在所述判定的步骤中被判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的次数进行记录的步骤;
对所记录的所述次数是否超过规定的次数进行判定的步骤;和
在所述判定的步骤中被判定为超过所述规定的次数的情况下,输出使所述基板输送装置的移动开始时并且/或者移动停止时的所述基板输送装置的加速度降低的指示信号的步骤。
6.如权利要求1至5任一项所述的基板输送方法,其特征在于,还包括:
在所述判定的步骤中被判定为所述位置偏移未进入规定的范围的情况下,对该位置偏移进行补正的步骤。
7.一种基板输送装置,其特征在于,包括:
通过真空吸附保持基板的保持部;
对保持于所述保持部而被输送的所述基板进行载置的多个载置部;
对保持于所述保持部的所述基板的相对于所述保持部的位置偏移进行检测的检测部;和
控制部,其构成为:根据相对于从所述多个载置部中的一个载置部接收所述基板并对所述基板进行保持的所述保持部,利用所述检测部检测到的所述基板的位置偏移;和在所述保持部移动到与其它的载置部面对的位置后,在该面对的位置利用所述检测部检测到的与所述基板的位置偏移,计算出在输送中产生的所述基板的相对于所述保持部的位置偏移,判定该位置偏移是否进入规定的范围。
8.如权利要求7所述的基板输送装置,其特征在于:
所述控制部在判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的情况下,发出表示该判定结果的警报。
9.如权利要求7所述的基板输送装置,其特征在于:
所述控制部进一步构成为,对被判定为所述位置偏移未进入所述规定的范围的次数进行记录,判定所记录的所述次数是否超过规定的次数,在判定为超过所述规定的次数的情况下,输出表示超过所述规定的次数的信息的警报信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





