[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有真空处理室、常压气氛的基板搬送室和负载锁定室的基板处理装置。

背景技术

在形成配线构造的工序中，有时对例如在半导体晶片(以下称为“晶片”)上形成的各种膜，进行形成包括槽、通路孔的金属镶嵌构造(damascene interconnect structure)的凹部的等离子体蚀刻处理。

进行该处理的等离子体蚀刻装置例如在成为真空气氛的处理容器内配置有上部电极和成为下部电极的载置台，在上述载置台上载置有晶片的状态下，经由匹配器将规定频率的高频施加于上部电极和载置台，使等离子体产生，并且将离子引入载置台侧，由此进行蚀刻处理。在上述载置台设置有：晶片载置于其表面的静电吸盘；和包围载置于静电吸盘的晶片的外周的聚焦环。上述静电吸盘具有吸附晶片并且对晶片传热以调节晶片的温度的功能。聚焦环为了使得等离子体在晶片表面上均匀性高地分布而设置，与晶片一同被上述离子蚀刻。

静电吸盘和晶片的热膨胀系数不同，在晶片置于静电吸盘上时，由于该热膨胀系数的不同而相互擦碰。因此，当反复持续进行晶片的处理时，静电吸盘的表面逐渐平滑化，载置台与晶片的接触面积变大，向晶片的热的传递率改变，结果晶片的蚀刻特性改变。此外，当反复进行晶片的蚀刻时，聚焦环也被蚀刻，因此该聚焦环的形状逐渐变化。由于该形状的变化，离子被引入的方向、电场的形成状态发生变化，晶片的蚀刻特性改变。

进一步，为了在蚀刻处理后除去附着在处理容器内的壁面和载置台上的附着物，有进行使供给至处理容器内的气体等离子体化，以除去该附着物的清洁处理的情况。考虑在该清洁时在静电吸盘上放置伪晶片，以保护静电吸盘，但是为了节省将伪晶片搬送至处理容器内的时间并减少成本，研究不使用该伪晶片来进行上述清洁的情况。但是，像这样不放置伪晶片的情况下，由于该清洁，静电吸盘表面被削减，因此向晶片的热的传递率变化，晶片的蚀刻特性改变。

像这样，静电吸盘的表面状态和聚焦环的形状由于伴随蚀刻处理的消耗而产生变化，由此导致蚀刻特性改变，因此需要进行高精度的状态管理。而且，在形状处于允许范围外的情况下，需要采取及时更换等对策。

静电吸盘和聚焦环如上所述设置在真空气氛中。为了在该真空气氛中确认静电吸盘和聚焦环的状态，考虑在处理容器内设置传感器，但是，担心由于设置该传感器而导致等离子体发生偏差。于是，基于现有的静电吸盘的表面状态和聚焦环的形状的变化的倾向，设定这些静电吸盘和聚焦环能够使用的时间(寿命)，在进行等离子体蚀刻处理的时间超过该设定时间时，将处理容器向大气开放，进行这些静电吸盘和聚焦环的更换。此外，也存在下述情况，在对晶片确认了蚀刻特性的变化时开放处理容器，确认静电吸盘和聚焦环的状态，当形状处于允许范围外时，进行静电吸盘和聚焦环的更换。

但是，根据蚀刻的处理条件的不同，静电吸盘和聚焦环的形状发生变化的程度不同，因此，如上所述设定能够使用的时间的方法，难以高精度地管理静电吸盘和聚焦环的状态。此外，在确认晶片的蚀刻特性的变化之后进行静电吸盘和聚焦环的更换的方法，会浪费晶片。因此，难以长期地得到稳定的蚀刻特性。进一步，这些方法中，在更换静电吸盘和聚焦环时将处理容器向大气开放，因此在大气开放后对处理容器抽真空，在得到期望的真空度之前不能够进行蚀刻处理。由此，担心等离子体蚀刻装置的生产性下降。在专利文献1中，记载了具有这样的等离子体蚀刻装置的基板处理装置，但是没有记载解决上述问题的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-16447

发明内容

本发明基于上述情况而提出，其目的在于使进行设置于真空处理室的基板载置台的表面部的状态的确认和该表面部的更换所引起的真空处理的停止时间变短，并且高精度地管理上述表面部的状态。

本发明的基板处理装置的特征在于，包括：

搬送基板的常压气氛的常压搬送室；

与该常压搬送室经由负载锁定室连接，对基板进行真空处理的真空处理室；

设置于上述真空处理室，具有主体部和相对于该主体部自由装卸的表面部的基板载置台；

设置于上述负载锁定室或常压搬送室，用于收纳上述表面部的保管部；和

从常压搬送室经由负载锁定室向真空处理室搬送基板，此外在上述保管部与上述真空处理室的主体部之间搬送上述表面部的搬送机构。

本发明的具体方式如下所述。

(1)设置有位于上述负载锁定室与上述真空处理室之间的真空气氛的真空搬送室。